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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利生成物層的處理方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112216608B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201910619393.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/311；該發(fā)明授權(quán)生成物層的處理方法是由渠匯設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-07-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本生成物層的處理方法在說明書摘要公布了：一種生成物層的處理方法，包括：提供基底，所述基底上具有介質(zhì)層；刻蝕去除部分厚度所述介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層頂部形成生成物層；提供溶解液，利用所述溶解液淋洗或浸泡所述生成物層，所述生成物層溶解于所述溶解液，以去除所述生成物層。本發(fā)明有助于提高去除所述生成物層的效率。

本發(fā)明授權(quán)生成物層的處理方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種生成物層的處理方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有介質(zhì)層，所述基底上還具有凸出于所述基底的鰭部，所述介質(zhì)層覆蓋所述鰭部的側(cè)壁；所述鰭部的頂部覆蓋有硬掩膜層；所述介質(zhì)層的頂部與所述硬掩膜層的頂部齊平；所述鰭部的頂部與所述硬掩膜層之間還具有絕緣層； 采用干法刻蝕工藝刻蝕去除部分厚度所述介質(zhì)層，所述干法刻蝕工藝采用的氣體與所述介質(zhì)層反應(yīng)，在剩余的所述介質(zhì)層頂部形成生成物層；所述干法刻蝕工藝氣體包括氮氣，流動的氮氣用于將部分所述生成物層吹離所述介質(zhì)層的表面，以減少吸附于介質(zhì)層的生成物層的含量； 提供溶解液，利用所述溶解液淋洗或浸泡所述生成物層、鰭部、絕緣層及硬掩膜層，所述生成物層溶解于所述溶解液，所述鰭部、絕緣層及硬掩膜層均難溶或不溶于所述溶解液，以去除所述生成物層； 去除所述生成物層后，還包括：提供清洗液，利用所述清洗液淋洗或浸泡所述介質(zhì)層，以去除所述介質(zhì)層和基底表面殘留的溶解液。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。