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龍圖騰網獲悉啟元實驗室申請的專利集成磁傳感器的電磁MEMS執行器的位移控制系統及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120185330B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510662935.4，技術領域涉及：H02K41/035；該發明授權集成磁傳感器的電磁MEMS執行器的位移控制系統及制備方法是由邢飛;趙曉光;張俊杰;魯文帥;邊濰;杜軍;盧曉銳設計研發完成，并于2025-05-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本集成磁傳感器的電磁MEMS執行器的位移控制系統及制備方法在說明書摘要公布了：一種集成磁傳感器的電磁MEMS執行器的位移控制系統及制備方法，涉及電磁MEMS執行器技術領域。位移控制系統可以包括線圈驅動模組、電磁MEMS執行器、至少一個磁傳感器和信號處理單元。電磁MEMS執行器包括永磁體和微動結構。永磁體在線圈驅動模組的驅動下運動；微動結構與永磁體固定連接；至少一個磁傳感器與微動結構設置于同一襯底表面，且設置在微動結構的一側，采集永磁體運動時所產生的磁位移信號，以根據磁位移信號生成電信號；信號處理單元根據電信號生成控制信號，將控制信號傳輸至線圈驅動模組，以使得線圈驅動模組根據控制信號控制永磁體運動，以控制微動結構的位移。本申請通過集成磁傳感器和微動結構，位移控制系統具備閉環控制微動結構位移能力。

本發明授權集成磁傳感器的電磁MEMS執行器的位移控制系統及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種集成磁傳感器的電磁MEMS執行器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 制備磁傳感器步驟； 制備電磁MEMS執行器的微動結構步驟； 連接永磁體和所述微動結構，以得到集成磁傳感器的電磁MEMS執行器； 所述制備磁傳感器步驟包括： 在襯底上制備第一鈍化層； 在所述第一鈍化層的第一位置設置磁性薄膜層組，其中，所述磁性薄膜層組包括第一電極層、磁性薄膜層和第二電極層，所述磁性薄膜層設置在所述第一電極層和所述第二電極層之間，所述第一電極層與所述第一鈍化層相接觸； 對所述磁性薄膜層組進行刻蝕處理，以得到第一預設形狀的目標磁性薄膜層組，以得到所述磁傳感器； 所述制備電磁MEMS執行器的微動結構步驟包括： 在所述襯底的第二位置對所述襯底和所述第一鈍化層進行刻蝕處理，以得到具有第二預設形狀的微動結構； 其中，所述第一位置位于所述第二位置的一側。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人啟元實驗室，其通訊地址為：100084 北京市海淀區紫雀路55號院8號樓-1至6層101；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。