蘇州英嘉通半導體有限公司寧殿華獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蘇州英嘉通半導體有限公司申請的專利具有高閾值電壓的增強型功率晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115172460B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210813004.6,技術領域涉及:H10D30/47;該發明授權具有高閾值電壓的增強型功率晶體管及其制備方法是由寧殿華;蔣勝;田偉;熊正兵;黃小蕾;李荷琴設計研發完成,并于2022-07-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有高閾值電壓的增強型功率晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明揭示了一種具有高閾值電壓的增強型功率晶體管及其制備方法,所述增強型功率晶體管包括:襯底;位于襯底上的異質結,異質結包括溝道層和勢壘層;鈍化層結構,位于異質結上方,所述異質結及鈍化層結構中沿第一方向形成有第一源極區域、第一柵極區域、漏極區域、第二源極區域及第二柵極區域;第一源極、第一柵極、漏極、第二源極及第二柵極,分別形成于第一源極區域、第一柵極區域、漏極區域、第二源極區域及第二柵極區域中,所述第一柵極與第二源極電性連接;所述第一源極、漏極和第二柵極分別作為增強型功率晶體管的源極、漏極和柵極。本發明能增加器件的閾值電壓,同時降低器件柵極的漏電流。
本發明授權具有高閾值電壓的增強型功率晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種具有高閾值電壓的增強型功率晶體管,其特征在于,所述增強型功率晶體管包括: 襯底; 位于襯底上的異質結,異質結包括溝道層和勢壘層; 鈍化層結構,位于異質結上方,所述異質結及鈍化層結構中沿第一方向形成有第一源極區域、第一柵極區域、漏極區域、第二源極區域及第二柵極區域; 第一源極、第一柵極、漏極、第二源極及第二柵極,分別形成于第一源極區域、第一柵極區域、漏極區域、第二源極區域及第二柵極區域中,所述第一柵極與第二源極電性連接; 所述第一源極、漏極和第二柵極分別作為增強型功率晶體管的源極、漏極和柵極; 所述第一源極、漏極、第二源極分別包括第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層中的一層或多層,所述第一柵極、第二柵極分別包括第二金屬層、第三金屬層中的一層或多層; 所述第一金屬層的材質為金屬和或金屬化合物,金屬包括金、鉑、鎳、鈦、鋁、鈀、鉭、鎢、鉬中的一種或多種的組合,金屬化合物包括氮化鈦、氮化鉭中的一種或多種的組合; 所述第二金屬層的材質為金屬和或金屬化合物,金屬包括金、鉑、鎳、鈦、鈀、鉭、鎢中的一種或多種的組合,金屬化合物包括氮化鈦、氮化鉭中的一種或多種的組合; 所述第三金屬層的材質為金屬和或金屬化合物,金屬包括金、鉑、鎳、鈦、鈀、鉭、鎢中的一種或多種的組合,金屬化合物包括氮化鈦、氮化鉭中的一種或多種的組合。
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