廣州安凱微電子股份有限公司徐華超獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廣州安凱微電子股份有限公司申請的專利一種自適應溫度和電源電壓的環(huán)形振蕩器獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114553191B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202210097186.1,技術領域涉及:H03K3/011;該發(fā)明授權一種自適應溫度和電源電壓的環(huán)形振蕩器是由徐華超;胡勝發(fā)設計研發(fā)完成,并于2022-01-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種自適應溫度和電源電壓的環(huán)形振蕩器在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種自適應溫度和電源電壓的環(huán)形振蕩器,包括:電源電壓-電流轉換器、CTAT電流發(fā)生器和電流控制振蕩器;電源電壓-電流轉換器,用于對電路中產生的負溫度特性和正溫度特性進行抵消,輸出與電源電壓成正比的第一電流;CTAT電流發(fā)生器,用于使預設閾值電壓MOS管的寬長比大于常規(guī)閾值電壓MOS管的寬長比,輸出與溫度成負斜率線性關系的第二電流;電流控制振蕩器,用于獲取第一電流和第二電流相減之后的總電流作為輸入,輸出振蕩頻率。與現有技術相比,該器件電路結構簡單,實現對溫度和電源電壓的雙重補償,可廣泛應用于SoC系統中,提高了器件的適用性。
本發(fā)明授權一種自適應溫度和電源電壓的環(huán)形振蕩器在權利要求書中公布了:1.一種自適應溫度和電源電壓的環(huán)形振蕩器,其特征在于,包括:電源電壓-電流轉換器、CTAT電流發(fā)生器和電流控制振蕩器; 其中,所述電源電壓-電流轉換器,用于對電路中產生的負溫度特性和正溫度特性進行抵消,輸出與電源電壓成正比的第一電流; 所述CTAT電流發(fā)生器,用于通過設置預設閾值電壓MOS管和常規(guī)閾值電壓MOS管,以使所述預設閾值電壓MOS管的寬長比大于所述常規(guī)閾值電壓MOS管的寬長比,輸出與溫度成負斜率線性關系的第二電流; 所述電流控制振蕩器,用于獲取所述第一電流和所述第二電流相減之后的總電流作為所述電流控制振蕩器的輸入,輸出振蕩頻率; 所述電源電壓-電流轉換器,包括:第一電源電壓、第二電源電壓、第一接地、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和第一電阻; 其中,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的柵端分別與所述第二電源電壓相連接;所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源端分別與所述第一電源電壓相連接;所述第一NMOS管的柵端和所述第二NMOS管的柵端、漏端分別與所述第一PMOS管的漏端相連接;所述第三NMOS管的柵端和第四NMOS管柵端、漏端分別與所述第二PMOS管的漏端相連接;所述第一NMOS管的源端與所述第一接地連接;所述第二NMOS管和所述第三NMOS管的源端分別與所述第一NMOS管的漏端相連接;所述第三NMOS管的漏端分別與所述第四NMOS管的源端和所述第一電阻的第一端相連接;柵漏短接的所述第三PMOS管的柵漏端和所述第四PMOS管的柵端分別與所述第一電阻的第二端相連接;所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的源端分別與所述第一電源電壓相連接;柵漏短接的所述第五NMOS管的柵漏端和所述第六NMOS管的柵端分別與所述第四PMOS管的漏端相連接;所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的源端分別與所述第一接地相連接,所述第六NMOS管的漏端為所述電源電壓-電流轉換器的電流輸出端。
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