上海華虹宏力半導體制造有限公司顏樹范獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利一種屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114975099B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210008426.6，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權一種屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法是由顏樹范設計研發完成，并于2022-01-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法，屬于半導體器件及制造領域。該方法中，溝槽內底部厚氧化層工藝作為屏蔽柵厚介質層，淀積溝道并回刻后留下溝槽側壁柵多晶硅，而溝槽正中薄層多晶硅被去除以填充接觸孔介質層；相較于相關技術中先淀積形成源極和后淀積形成柵多晶硅相比，本器件用深接觸孔替代傳統屏蔽柵中的多晶硅，起到工藝流程精簡的效果。
本發明授權一種屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種屏蔽柵MOSFET器件的制作方法，其特征在于，該制作方法包括： 提供襯底（1），在所述襯底（1）上刻蝕形成第一溝槽（S1）； 在所述第一溝槽（S1）底部填充屏蔽柵厚介質層（2）； 在所述屏蔽柵厚介質層（2）上方且所述第一溝槽（S1）內壁形成柵介質層（3）； 在貼近所述柵介質層（3）側壁處淀積形成柵多晶硅（4）； 執行離子注入工藝在所述柵介質層（3）兩側形成阱（5），并在所述阱（5）上方形成源極（6）； 在所述源極（6）和所述屏蔽柵厚介質層（2）上方沉積接觸孔介質層（7）； 刻蝕所述接觸孔介質層（7），使得所述屏蔽柵厚介質層（2）、所述柵多晶硅（4）和所述源極（6）上方形成接觸孔（71）； 在所述襯底（1）的背面形成背面金屬（8）以及在所述接觸孔（71）中填充正面金屬（9）。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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