上海華虹宏力半導體制造有限公司令海陽獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利CMOS圖像傳感器的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114242743B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111541260.6，技術領域涉及：H10F39/18；該發明授權CMOS圖像傳感器的制造方法是由令海陽設計研發完成，并于2021-12-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本CMOS圖像傳感器的制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種CMOS圖像傳感器的制造方法，包括：步驟一、提供半導體襯底，在像素區的所述半導體襯底上形成有多層金屬互聯層，在各層金屬互聯層之間間隔有層間膜；在像素區的頂層金屬互聯層的表面上形成頂層層間膜；步驟二、定義出頂部溝槽的形成區域；步驟三、以像素區的頂層金屬互聯層的頂部表面為停止層，對像素區的頂層層間膜進行刻蝕形成頂部溝槽；步驟四、沉積形成第一蓋帽層，第一蓋帽層至少覆蓋在頂部溝槽的底部表面上并作為像素區的保護層。本發明能提高像素區的頂部溝槽的刻蝕均勻性，從而能防止對形成于頂部溝槽中的彩色濾光片和微透鏡的工藝產生不利影響，并從而提高器件性能。
本發明授權CMOS圖像傳感器的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種CMOS圖像傳感器的制造方法，其特征在于，包括： 步驟一、提供半導體襯底，在所述半導體襯底中形成有CMOS圖像傳感器的像素區結構，在所述像素區的所述半導體襯底上形成有多層金屬互聯層，在各層所述金屬互聯層之間間隔有層間膜；在所述像素區的頂層金屬互聯層的表面上形成頂層層間膜； 步驟二、定義出頂部溝槽的形成區域，所述頂部溝槽的形成區域位于所述像素區的頂部并為用于形成彩色濾光片或微透鏡的區域； 步驟三、以所述像素區的頂層金屬互聯層的頂部表面為停止層，對所述像素區的頂層層間膜進行刻蝕形成所述頂部溝槽，通過以所述像素區的頂層金屬互聯層的頂部表面為停止層來保證所述頂部溝槽具有平坦的底部表面； 步驟四、沉積形成第一蓋帽層，所述第一蓋帽層至少覆蓋在所述頂部溝槽的底部表面上并作為所述像素區的保護層，沉積工藝使所述第一蓋帽層的厚度均勻以及所述頂部溝槽的平坦的底部表面使所述第一蓋帽層的頂部表面平坦，以有利于所述彩色濾光片或所述微透鏡的形成。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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