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龍圖騰網獲悉蘇州華博電子科技有限公司申請的專利一種全包圍薄膜集成電路的制備方法及其應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115295420B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111145102.9，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權一種全包圍薄膜集成電路的制備方法及其應用是由陳洋;錢磊;錢海;朱小明設計研發完成，并于2021-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種全包圍薄膜集成電路的制備方法及其應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種全包圍薄膜集成電路的制備方法及其應用，步驟方法至少包含以下幾步：1陶瓷基片正反面濺射膜層；2光刻膠正面保護；3金屬層沉積；4光刻電阻；5陶瓷薄膜正面濺射膜層；6光刻正面圖形和引線；7光刻覆蓋引線；8全包圍化學沉積。本申請制備的一種全包圍薄膜集成電路具有良好的使用壽命，側面腐蝕性，并且有效提高了集成電路的線寬精度，適宜在集成電路領域推廣，具有廣闊的發展前景。

本發明授權一種全包圍薄膜集成電路的制備方法及其應用在權利要求書中公布了：1.一種全包圍薄膜集成電路的制備方法，其特征在于：步驟至少包含以下幾步：（1）陶瓷基片正反面濺射膜層；（2）光刻膠正面保護；（3）金屬層沉積；（4）光刻電阻；（5）陶瓷薄膜正面濺射膜層；（6）光刻正面圖形和引線；（7）光刻覆蓋引線；（8）全包圍化學沉積；所述全包圍化學沉積的具體操作為：采用化學沉積的方法，在圖形的正面和側壁都沉積上金屬金層，之后用腐蝕液將引線腐蝕完全； 所述陶瓷基片為混合氧化物陶瓷基片，所述混合氧化物陶瓷基片的制備方法，步驟至少包含以下幾步：1）將氧化鋁粉加入有機酸溶液當中，升溫至60~80℃攪拌80~100分鐘，攪拌完成后冷卻至室溫過濾，有機溶劑洗滌，干燥；2）將干燥后的氧化鋁粉和鈦白粉的混合粉末加入至DMF溶液分散，之后配置含有琥珀酸酐，3-氨丙基三乙氧基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷的DMF溶液并逐滴滴加，升溫至80~100℃將溶液一直攪拌反應4~6小時，反應完成后干燥；3）將干燥后的混合粉末，氧化釔，異丙醇，乙酸乙酯，磷酸酯加入球磨機中球磨6~10小時，之后球磨完成后再加入聚乙烯醇縮丁醛，聚乙二醇800，醇醚和二元醇，繼續球磨4~6小時，之后真空攪拌20~30分鐘，得混合漿料；4）將混合漿料送入流延機，流延成型；將流延成型的生片置入沖片機沖壓，調整所需尺寸；5）將生片置入排膠爐，在氮氣保護下兩次排膠，第一次排膠溫度為500~600℃且保溫40~60分鐘，第二次排膠溫度為150~200℃且保溫40~60分鐘，升溫速率皆為5℃分鐘；6）將排膠后的生片置入燒結爐，保持燒結溫度為1550~1580℃，燒結6~8小時，升溫速率為10℃分鐘，完成既得；所述氧化鋁粉與鈦白粉的質量比為98~99.9:0.1~1.5。

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