買(mǎi)專利賣(mài)專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉美光科技公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置上的熱的改進(jìn)管理及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114256094B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111054333.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/67；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置上的熱的改進(jìn)管理及其制造方法是由J·S·雷赫邁耶;C·G·維杜威特設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-09-09向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置上的熱的改進(jìn)管理及其制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)案涉及半導(dǎo)體裝置上的熱的改進(jìn)管理及其制造方法。本文公開(kāi)改進(jìn)存儲(chǔ)器模塊及其構(gòu)造方法。所述存儲(chǔ)器模塊包含具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面的襯底，所述第一表面和所述第二表面各自具有中心部分、第一陣列區(qū)域和第二陣列區(qū)域。所述第一陣列區(qū)域在操作期間比所述第二陣列區(qū)域冷。所述存儲(chǔ)器模塊還包含附接到所述第一表面的所述中心部分的電源管理集成電路。所述存儲(chǔ)器模塊還包含第一半導(dǎo)體裸片，所述第一半導(dǎo)體裸片在所述第一陣列區(qū)域中附接到所述襯底。所述第一半導(dǎo)體裸片在高溫下具有操作參數(shù)的第一性能等級(jí)。所述存儲(chǔ)器模塊還包含第二半導(dǎo)體裸片，所述第二半導(dǎo)體裸片在所述第二陣列區(qū)域中附接到所述襯底。所述第二半導(dǎo)體裸片在高溫下具有比所述第一性能等級(jí)更好的操作參數(shù)的第二性能等級(jí)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置上的熱的改進(jìn)管理及其制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種用于構(gòu)造具有兩個(gè)或多于兩個(gè)半導(dǎo)體裸片的改進(jìn)的存儲(chǔ)器模塊的方法，其包括： 確定在第一溫度下所述存儲(chǔ)器模塊的個(gè)別半導(dǎo)體裸片的受溫度影響的操作參數(shù)的性能等級(jí)，其中所述操作參數(shù)是來(lái)自所述半導(dǎo)體裸片的功耗； 確定在高于所述第一溫度的第二溫度下的所述個(gè)別半導(dǎo)體裸片的所述操作參數(shù)的所述性能等級(jí)； 基于在所述第一溫度和所述第二溫度下的所確定的性能等級(jí)，識(shí)別在高溫下受溫度影響相對(duì)較大的至少一個(gè)第一半導(dǎo)體裸片和受溫度影響相對(duì)較小的至少一個(gè)第二半導(dǎo)體裸片； 將所述第一半導(dǎo)體裸片安裝在存儲(chǔ)器模塊襯底的第一陣列區(qū)域，并將所述第二半導(dǎo)體裸片安裝在所述存儲(chǔ)器模塊襯底的第二陣列區(qū)域，其中所述第一陣列區(qū)域在操作期間比所述第二陣列區(qū)域冷；及 將電源管理集成電路安裝到所述存儲(chǔ)器模塊襯底的中心部分。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人美光科技公司，其通訊地址為：美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。