愛思開海力士有限公司崔??@國家專利權
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龍圖騰網獲悉愛思開海力士有限公司申請的專利包括層疊的半導體芯片的半導體封裝件獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114914221B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110987361.X,技術領域涉及:H01L23/498;該發明授權包括層疊的半導體芯片的半導體封裝件是由崔??O計研發完成,并于2021-08-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括層疊的半導體芯片的半導體封裝件在說明書摘要公布了:本申請涉及包括層疊的半導體芯片的半導體封裝件。一種半導體封裝件包括:第一半導體芯片層疊物,其包括在垂直方向上層疊的多個第一半導體芯片;橋式晶片層疊物,其被設置為在水平方向上與第一半導體芯片層疊物間隔開,并且包括在垂直方向上層疊的多個橋式晶片,其中,橋式晶片分別包括貫通電極,并且在垂直方向上對齊的貫通電極通過橋式晶片之間的連接電極彼此連接;重分配層,其設置在第一半導體芯片層疊物和橋式晶片層疊物上方;第二半導體芯片,其設置在重分配層上方,并且被配置為通過在垂直方向上對齊的貫通電極、連接電極和重分配層來接收電壓;以及電壓調節器,其被配置為調節電壓。
本發明授權包括層疊的半導體芯片的半導體封裝件在權利要求書中公布了:1.一種半導體封裝件,該半導體封裝件包括: 第一半導體芯片層疊物,所述第一半導體芯片層疊物包括在垂直方向上層疊的多個第一半導體芯片; 橋式晶片層疊物,所述橋式晶片層疊物被設置為在水平方向上與所述第一半導體芯片層疊物間隔開,并且包括在所述垂直方向上層疊的多個橋式晶片,其中,所述多個橋式晶片分別包括貫通電極,并且在所述垂直方向上對齊的所述貫通電極通過所述多個橋式晶片之間的連接電極彼此連接; 重分配層,所述重分配層被設置在所述第一半導體芯片層疊物和所述橋式晶片層疊物上方; 第二半導體芯片,所述第二半導體芯片被設置在所述重分配層上方,并且通過在所述垂直方向上對齊的所述貫通電極、所述連接電極和所述重分配層來接收電壓;以及 電壓調節器,所述電壓調節器調節所述電壓,其中,所述電壓調節器包括: 開關,所述開關被包括在所述多個橋式晶片中的最靠近所述第二半導體芯片的最上面的橋式晶片中; 二極管,所述二極管被包括在所述多個橋式晶片中的所述最上面的橋式晶片中; 電容器,所述電容器被包括在所述多個橋式晶片中的除了所述最上面的橋式晶片之外的其余橋式晶片中; 電感器,所述電感器被包括在所述重分配層中;以及 控制器,所述控制器被包括在所述第二半導體芯片中。
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