瀾起科技股份有限公司張雄獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉瀾起科技股份有限公司申請的專利片上帕爾貼制冷器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115458670B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110642608.4，技術領域涉及：H10N10/17；該發明授權片上帕爾貼制冷器件及其制作方法是由張雄設計研發完成，并于2021-06-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本片上帕爾貼制冷器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體技術領域，公開了一種片上帕爾貼制冷器件及其制作方法，該器件包括：位于半導體襯底中的第一類型阱區，位于半導體襯底表面上的多晶硅柵極和偽柵，位于第一類型阱區中的第一類型摻雜區，位于第一類型阱區中的第二類型摻雜區，位于第一段上方的第一通孔和位于第二段上方的第二通孔。偽柵形成為具有間隔的兩段結構，兩段結構中遠離間隔的部分區域與半導體襯底之間不具有柵絕緣層。第一類型摻雜區至少與偽柵的第一段在半導體襯底上的正投影區重疊。第二類型摻雜區至少與多晶硅柵極和偽柵的第二段在半導體襯底上的正投影區重疊。本申請實施方式中，熱流方向是從器件內部向表面的方向流動，從而實現散熱制冷。
本發明授權片上帕爾貼制冷器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種片上帕爾貼制冷器件，其特征在于，包括： 位于半導體襯底中的第一類型阱區； 位于所述半導體襯底表面上的多晶硅柵極和偽柵，所述偽柵形成為具有間隔的兩段結構，其中，所述兩段結構中遠離間隔的部分區域與所述半導體襯底之間不具有柵絕緣層； 位于所述第一類型阱區中的第一類型摻雜區，所述第一類型摻雜區至少與所述偽柵的第一段在所述半導體襯底上的正投影區重疊； 位于所述第一類型阱區中的第二類型摻雜區，所述第二類型摻雜區至少與所述多晶硅柵極和所述偽柵的第二段在所述半導體襯底上的正投影區重疊； 位于所述第一段上方的第一通孔和位于所述第二段上方的第二通孔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人瀾起科技股份有限公司，其通訊地址為：200233 上海市徐匯區宜山路900號1幢A6；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號