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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯南方集成電路制造有限公司申請的專利半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115224025B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110418350.X，技術(shù)領域涉及：H10D84/83；該發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由江濤設計研發(fā)完成，并于2021-04-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供襯底，襯底上具有鰭部，鰭部沿第一方向延伸，鰭部包括多個第一區(qū)和至少一個第二區(qū)，第二區(qū)位于相鄰的所述第一區(qū)之間，第一區(qū)與第二區(qū)沿第一方向排布；在襯底上形成第一隔離層，第一隔離層覆蓋鰭部部分側(cè)壁，第一隔離層表面低于鰭部頂部表面；在各第一區(qū)上分別形成橫跨鰭部的第一柵極結(jié)構(gòu)、以及位于第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)鰭部中的源漏摻雜區(qū)，第一柵極結(jié)構(gòu)覆蓋鰭部部分側(cè)壁與頂部表面；在第二區(qū)內(nèi)形成隔離溝槽，隔離溝槽層沿第二方向貫穿所述鰭部，第二方向與第一方向相垂直；對隔離溝槽的表面進行表面處理；進行表面處理后，在隔離溝槽內(nèi)形成第二隔離層；能夠有效的提升最終形成的半導體結(jié)構(gòu)的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體結(jié)構(gòu)形成的方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底上具有鰭部，所述鰭部沿第一方向延伸，所述鰭部包括多個第一區(qū)和至少一個第二區(qū)，所述第二區(qū)位于相鄰的兩個所述第一區(qū)之間，所述第一區(qū)與所述第二區(qū)沿所述第一方向排布； 在所述襯底上形成第一隔離層，所述第一隔離層覆蓋所述鰭部部分側(cè)壁，所述第一隔離層表面低于所述鰭部頂部表面； 在各所述第一區(qū)上分別形成橫跨所述鰭部的第一柵極結(jié)構(gòu)、以及位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)鰭部中的源漏摻雜區(qū)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述鰭部部分側(cè)壁與頂部表面； 在所述第二區(qū)內(nèi)形成隔離溝槽，所述隔離溝槽層沿第二方向貫穿所述鰭部，所述第二方向與所述第一方向相垂直； 對所述隔離溝槽的表面進行表面處理，所述表面處理的方式為表面溶液處理與表面離子注入處理的結(jié)合，利用所述表面離子注入處理在所述隔離溝槽的表面形成PN結(jié)； 進行表面處理后，在所述隔離溝槽內(nèi)形成第二隔離層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯南方集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)張江路18號3號樓5樓；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。