中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司趙炳貴獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114141700B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010923219.4，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構的形成方法是由趙炳貴設計研發完成，并于2020-09-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：在所述第一介質層表面、柵極結構頂部表面以及插塞頂部表面形成第二介質層；在所述第二介質層內形成暴露出第一介質層表面的第一開口，且所述第一開口暴露出至少兩個柵極結構頂部表面或至少兩個插塞頂部表面；在所述第一開口內形成第一初始導電結構；刻蝕部分所述第一初始導電結構直至暴露出第一介質層表面，形成分立的第一導電結構，所述第一導電結構位于柵極結構頂部表面或插塞頂部表面。所述第一初始導電結構沿垂直于柵極結構延伸方向的尺寸較大，降低了形成所述第一初始導電結構的刻蝕工藝難度，并且所述第二開口保證能夠使相鄰第一導電結構之間隔離，有利于增大工藝窗口。
本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有第一介質層和若干柵極結構，所述柵極結構兩側的基底內具有源漏摻雜區，且所述源漏摻雜區頂部表面具有插塞，所述第一介質層位于所述柵極結構、源漏摻雜區以及插塞表面； 在所述第一介質層表面、柵極結構頂部表面以及插塞頂部表面形成第二介質層； 在所述第二介質層內形成暴露出第一介質層表面的第一開口，且所述第一開口暴露出至少兩個柵極結構頂部表面、至少兩個插塞頂部表面或者相鄰的柵極結構頂部表面和插塞頂部表面； 在所述第一開口內形成第一初始導電結構； 刻蝕部分所述第一初始導電結構直至暴露出第一介質層表面，形成分立的第一導電結構，所述第一導電結構位于柵極結構頂部表面或插塞頂部表面。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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