索尼半導體解決方案公司國武幸史獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉索尼半導體解決方案公司申請的專利攝像元件和攝像裝置獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予,授權公告號為:CN113811999B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202080033705.7,技術領域涉及:H04N5/30;該發(fā)明授權攝像元件和攝像裝置是由國武幸史;納土晉一郎;正垣敦設計研發(fā)完成,并于2020-04-09向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本攝像元件和攝像裝置在說明書摘要公布了:本發(fā)明減少了背面照射型攝像裝置中入射光泄漏到電荷保持器等中。該攝像元件設置有光電轉換器、反射器和反射器形成構件。所述光電轉換器形成在半導體基板中并且對入射光進行光電轉換。所述反射器布置在所述半導體基板的與所述入射光入射的表面不同的表面中并且將經(jīng)過所述光電轉換部的透射光反射回所述光電轉換器。所述反射器形成構件布置有與所述半導體基板的所述表面相鄰的底表面,并且具有在其側面形成的所述反射器。
本發(fā)明授權攝像元件和攝像裝置在權利要求書中公布了:1.一種攝像元件,包括: 光電轉換部,其形成在半導體基板中并且對入射光進行光電轉換; 反射部,其布置在所述半導體基板的前表面中并且將經(jīng)過所述光電轉換部透射的透射光反射至所述光電轉換部,所述半導體基板的所述前表面與所述入射光入射的表面不同; 反射部形成構件,其具有與所述半導體基板的所述前表面相鄰地布置的底表面和形成有所述反射部的側面; 保持通過所述光電轉換產(chǎn)生的電荷的電荷保持部;以及 遮光壁,布置在所述半導體基板中的所述光電轉換部與所述電荷保持部之間,所述遮光壁包括靠近所述半導體基板的所述前表面的開口部, 其中,所述反射部布置在所述遮光壁的所述開口部附近并從所述遮光壁的所述開口部朝向所述電荷保持部偏移。
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