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龍圖騰網獲悉應用材料公司申請的專利用于形成具有低漏電流的含硅硼膜的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113316835B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980089580.7，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權用于形成具有低漏電流的含硅硼膜的方法是由楊傳曦;H·俞;S·卡瑪斯;D·帕德希;H·金;E·李;黃祖濱;D·N·凱德拉亞;程睿;K·嘉納基拉曼設計研發完成，并于2019-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于形成具有低漏電流的含硅硼膜的方法在說明書摘要公布了：提供了用于形成氮化硅硼層的方法。所述方法包括：將基板定位在工藝腔室內的工藝區域中的基座上；加熱保持基板的基座；以及將第一工藝氣體的第一氣流和第二工藝氣體的第二氣流引入工藝區域。第一工藝氣體的第一氣流含有硅烷、氨、氦、氮、氬和氫。第二工藝氣體的第二氣流含有乙硼烷和氫。所述方法還包括：與到達工藝區域的第一工藝氣體的第一氣流和第二工藝氣體的第二氣流同時形成等離子體，并將基板暴露于第一工藝氣體、第二工藝氣體和等離子體，以在基板上沉積氮化硅硼層。

本發明授權用于形成具有低漏電流的含硅硼膜的方法在權利要求書中公布了：1.一種形成氮化硅硼層的方法，包括： 將基板定位在工藝腔室內的工藝區域中的基座上； 將保持所述基板的基座加熱到225℃至575℃的沉積溫度； 將第一工藝氣體的第一氣流和第二工藝氣體的第二氣流引入所述工藝區域，其中： 所述第一工藝氣體的所述第一氣流包括： 具有1sccm至500sccm的流率的硅烷； 具有10sccm至5000sccm的流率的氨； 具有500sccm至20000sccm的流率的氦； 具有5000sccm至25000sccm的流率的氮N2； 具有50sccm至10000sccm的流率的氬；以及 具有50sccm至20000sccm的流率的氫H2，并且 所述第二工藝氣體的所述第二氣流包括： 2摩爾百分比mol％至15mol％的乙硼烷； 85mol％至98mol％的氫H2；以及 1sccm至5000sccm的流率； 與到所述工藝區域的所述第一工藝氣體的所述第一氣流和所述第二工藝氣體的所述第二氣流同時形成等離子體；以及 將所述基板暴露于所述第一工藝氣體、所述第二工藝氣體和所述等離子體，以在所述基板上沉積所述氮化硅硼層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人應用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。