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龍圖騰網(wǎng)獲悉泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司申請的專利一種非對稱高可靠溝槽柵碳化硅VDMOS及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120264801B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510727346.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)一種非對稱高可靠溝槽柵碳化硅VDMOS及其制備方法是由胡臻;何佳;陳彤;周海設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種非對稱高可靠溝槽柵碳化硅VDMOS及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種非對稱高可靠溝槽柵碳化硅VDMOS及其制備方法，包括：在碳化硅襯底下側(cè)面淀積金屬，形成漏極金屬層，在碳化硅襯底上側(cè)面外延生長，形成漂移層；形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成分流區(qū)、P型阱區(qū)；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積金屬，形成肖特基金屬層；重新形成阻擋層，刻蝕，離子注入，形成P型基區(qū)、P型源區(qū)、N型源區(qū)；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積金屬，形成源極金屬層；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積形成絕緣介質(zhì)層；重新形成阻擋層，刻蝕，淀積金屬，形成柵極金屬層，去除阻擋層，完成制備，采用了非對稱溝槽柵結(jié)構(gòu)，單側(cè)保證器件的導(dǎo)通后特性，單側(cè)保證器件體二極管續(xù)流特性，提高了器件的可靠性。

本發(fā)明授權(quán)一種非對稱高可靠溝槽柵碳化硅VDMOS及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種非對稱高可靠溝槽柵碳化硅VDMOS的制備方法，其特征在于：包括如下步驟： 步驟1、在碳化硅襯底下側(cè)面淀積金屬，形成漏極金屬層，在碳化硅襯底上側(cè)面外延生長，形成漂移層； 步驟2、在漂移層上方形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔，離子注入，形成分流區(qū)； 步驟3、離子注入，形成P型阱區(qū)； 步驟4、刻蝕漂移層以及P型阱區(qū)，淀積金屬，形成肖特基金屬層； 步驟5、離子注入，形成P型基區(qū)； 步驟6、離子注入，形成P型源區(qū)； 步驟7、離子注入，形成N型源區(qū)； 步驟8、刻蝕漂移層至P型源區(qū)上側(cè)面，淀積金屬，形成源極金屬層； 步驟9、刻蝕漂移層、分流區(qū)以及P型阱區(qū)，形成第一凹槽，淀積形成絕緣介質(zhì)層； 步驟10、刻蝕絕緣介質(zhì)層形成溝槽，淀積金屬，形成柵極金屬層，去除阻擋層，完成制備； 在步驟3、5-7中離子注入前，以及在步驟4、8-10中，刻蝕前，均需去除上一步的阻擋層，重新形成阻擋層，刻蝕阻擋層形成通孔； 分流區(qū)位于第一凹槽的左下角，P型基區(qū)下側(cè)面連接至分流區(qū)，位于第一凹槽左側(cè)； P型源區(qū)下側(cè)面連接至P型阱區(qū)上側(cè)面； N型源區(qū)下側(cè)面分別連接P型阱區(qū)以及P型基區(qū)，N型源區(qū)與P型源區(qū)連接； 肖特基金屬層下側(cè)面連接至漂移層，肖特基金屬層一側(cè)面連接至P型阱區(qū)一側(cè)面以及N型源區(qū)一側(cè)面； 絕緣介質(zhì)層外側(cè)面分別連接P型源區(qū)、N型源區(qū)、P型阱區(qū)、P型基區(qū)以及分流區(qū)。

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