河北工業大學陳貴鋒獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉河北工業大學申請的專利一種制備自剝離氮化鋁薄膜的方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120231132B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510713963.4,技術領域涉及:C30B29/40;該發明授權一種制備自剝離氮化鋁薄膜的方法是由陳貴鋒;韓海生;李紅實;李易凡;馮柏寧;李朝元;張輝;解新建;房毅;王彥君設計研發完成,并于2025-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種制備自剝離氮化鋁薄膜的方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種制備自剝離氮化鋁薄膜的方法,該方法能夠在藍寶石襯底上使用金屬氮化物氣象外延法(MNVPE)生長自剝離或自分離的氮化鋁薄膜,方法包括:首先對襯底進行預處理,增加襯底上氮化鋁的形核率,之后進行緩沖層島狀3D生長,再關閉所有氣源,進行薄膜生長前溫度準備,然后通入氣體進行薄膜2D生長,生長結束后冷卻取出,得到可自剝離的氮化鋁薄膜。本發明的方法能夠有效避免將氮化鋁薄膜從襯底剝離引入機械損傷,能夠保證晶體質量,降低成本,具有高效、綠色的特點。
本發明授權一種制備自剝離氮化鋁薄膜的方法在權利要求書中公布了:1.一種制備自剝離氮化鋁薄膜的方法,包括在能夠同時通入氬氣、氮氣且具有源區、生長區獨立控溫的生長設備內,將鋁顆粒置于源區,襯底置于生長區,所述的襯底為藍寶石襯底,其特征在于,該方法還包括如下: 第一步,將源區溫度升高至不低于1100℃,控制生長區溫度不高于500℃,通入氮氣、氬氣,并控制氣體流量,保溫,對襯底進行預處理; 第二步,將源區溫度進一步升高,同時控制生長區溫度不低于1000℃,保持或增加氮氣流量、減小氬氣流量,保溫,進行緩沖層島狀3D生長; 第三步,先關閉氬氣、氮氣,再進一步將源區溫度升高至1400-1500℃,同時將生長區溫度升高至1200-1600℃,以進行薄膜生長前溫度準備; 第四步,通入氬氣、氮氣,并控制氬氣為低速氣流,氬氣流量為50-200mlmin,進行薄膜2D生長;所述低速氣流為低于第一步中氬氣流量; 第五步,生長后以速度為30-60℃min快速降溫使冷卻至室溫,取出樣品,氮化鋁薄膜實現自剝離。
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