臺灣積體電路制造股份有限公司林承毅獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利對通孔缺陷進行建模的系統和方法以及儲存介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115310395B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210522958.1，技術領域涉及：G06F30/392；該發明授權對通孔缺陷進行建模的系統和方法以及儲存介質是由林承毅;洪宗揚;安基達·帕帝達;王明義;桑迪·庫馬·戈埃爾設計研發完成，并于2022-05-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本對通孔缺陷進行建模的系統和方法以及儲存介質在說明書摘要公布了：公開了一種對通孔缺陷進行建模的方法和系統以及非暫時性計算機可讀儲存介質。該方法，包括：獲取標準單元的設計布局，從設計布局中提取標準單元中的一個或多個通孔的特征信息，通過應用第一異常電阻值作為一個或多個通孔之中的第一通孔的寄生電阻值，來對于輸入范例執行電路模擬以獲得標準單元的第一模擬輸出，第一異常電阻值不同于第一通孔的標稱寄生電阻值，確定對于輸入范例的標準單元的第一模擬輸出是否與相應的期望輸出匹配，以及響應于第一模擬輸出之中的一個或多個模擬輸出與相應的期望輸出不匹配，記錄具有第一異常電阻值的第一通孔的一個或多個缺陷類型以及相應的輸入范例和相應的模擬輸出。
本發明授權對通孔缺陷進行建模的系統和方法以及儲存介質在權利要求書中公布了：1.一種對通孔缺陷進行建模的方法，包括： 獲取標準單元的設計布局； 從所述設計布局中提取所述標準單元中的一個或多個通孔的特征信息，所述特征信息包括通孔位置信息、通孔層信息或通孔標稱寄生電阻信息中的一種或多種； 通過應用第一異常電阻值作為所述一個或多個通孔之中的第一通孔的寄生電阻值，來對于輸入范例執行電路模擬以獲得所述標準單元的第一模擬輸出，所述第一異常電阻值不同于所述第一通孔的標稱寄生電阻值； 確定對于所述輸入范例的所述標準單元的所述第一模擬輸出是否與相應的期望輸出匹配；以及 響應于所述第一模擬輸出之中的一個或多個模擬輸出與所述相應的期望輸出不匹配，記錄具有所述第一異常電阻值的所述第一通孔的一個或多個缺陷類型以及相應的輸入范例和相應的模擬輸出。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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