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龍圖騰網獲悉億而得微電子股份有限公司申請的專利高寫入效率的反熔絲陣列獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115968198B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111229153.X，技術領域涉及：H10B20/25；該發明授權高寫入效率的反熔絲陣列是由黃郁婷;吳其沛設計研發完成，并于2021-10-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本高寫入效率的反熔絲陣列在說明書摘要公布了：本發明公開一種高寫入效率的反熔絲陣列，其包含至少一子存儲器陣列，子存儲器陣列具有并排配置于相鄰的兩條位線之間的兩個反熔絲記憶晶胞，兩個反熔絲記憶晶胞的反熔絲晶體管皆包含具有一個以上的尖角重疊于第一閘極介電層上的反熔絲閘極，且兩個反熔絲記憶晶胞的選擇晶體管的第二閘極介電層彼此連接，使得兩個反熔絲記憶晶胞可連接到不同位線，并連接到相同選擇線和相同字線。本發明利用源極接點共用及兩個選擇晶體管共用一個通道的配置方式，不但可穩固源極架構，同時可增大選擇晶體管的通道寬度，而增加寫入效率，且沒有增加整體布局面積。

本發明授權高寫入效率的反熔絲陣列在權利要求書中公布了：1.一種高寫入效率的反熔絲陣列，其特征在于，包含： 多條平行的位線，在一第一方向上延伸，并包含相鄰的一第一位線和一第二位線； 多條平行的字線，在不同于該第一方向的一第二方向上延伸，且與該多條位線互相垂直，并包含一第一字線； 多條平行的選擇線，在該第二方向上延伸，而與該多條字線互相平行，并包含一第一選擇線；以及 至少一子存儲器陣列，該子存儲器陣列包含一第一反熔絲記憶晶胞和一第二反熔絲記憶晶胞，該第一反熔絲記憶晶胞包含：一第一反熔絲晶體管，連接該第一位線；及一第一選擇晶體管，串聯連接至該第一反熔絲晶體管，并連接至該第一字線以及該第一選擇線；該第二反熔絲記憶晶胞包含：一第二反熔絲晶體管，連接至該第二位線；及一第二選擇晶體管，串聯連接至該第二反熔絲晶體管，并連接至該第一字線以及該第一選擇線；該第一、第二反熔絲記憶晶胞在該第二方向上彼此相鄰，且位于該第一位線和該第二位線之間； 其中，該第一反熔絲晶體管與該第二反熔絲晶體管皆包括一第一閘極介電層和一反熔絲閘極，該反熔絲閘極具有一個以上的尖角重疊于該第一閘極介電層上，該第一選擇晶體管與該第二選擇晶體管皆包括一第二閘極介電層，每一該第二閘極介電層彼此連接； 該反熔絲閘極下方具有一第一通道區，該第一選擇晶體管與該第二選擇晶體管共用一第二通道區，該第二通道區的寬度大于該第一通道區的寬度； 該第一反熔絲記憶晶胞和該第二反熔絲記憶晶胞設置于該第一位線和該第二位線之間； 該第一閘極介電層與該第二閘極介電層彼此連接。

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