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龍圖騰網獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利一種閃存單元結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115942745B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111139233.6，技術領域涉及：H10B41/30；該發明授權一種閃存單元結構及其制作方法是由高箐遙;黃仁瑞;賀騰飛;朱文明設計研發完成，并于2021-09-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種閃存單元結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種閃存單元結構及其制作方法，該閃存單元結構包括襯底、隔離層、柵介質層、第一浮柵導電層、第二浮柵導電層、第一絕緣層、第二絕緣層、第一源極線、第二源極線及字線層，其中，隔離層的底部嵌于襯底中，且隔離層的頂面高于襯底的頂面，柵介質層位于襯底的上表面，第一、第二浮柵導電層位于柵介質層上并分布于所述隔離層的相對兩側，且分別與隔離層的兩側壁接觸，第一、第二源極線位于襯底中并分布于隔離層的相對兩側，且分別與隔離層的兩側壁接觸，字線層包括至少兩條字線。本發明利用隔離層將公共源極線隔成兩個獨立的源極線，并利用不同字線分別控制隔離層兩側的浮置柵極以提高空間利用率，實現了閃存單元結構尺寸的微縮。

本發明授權一種閃存單元結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種閃存單元結構的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供一襯底，自下而上依次形成柵介質層、浮柵導電層及第一掩膜層于所述襯底上； 形成隔離溝槽，所述隔離溝槽在垂直方向上貫穿所述第一掩膜層、所述浮柵導電層及所述柵介質層，并延伸進所述襯底中； 形成隔離層于所述隔離溝槽中，并形成第一開口及第二開口于所述第一掩膜層中，所述第一開口與所述第二開口位于所述隔離層的相對兩側并暴露出所述隔離層的側壁； 形成第一絕緣層于所述第一開口的底部，形成第二絕緣層于所述第二開口的底部； 去除所述第一掩膜層，并去除所述浮柵導電層未被所述第一絕緣層及所述第二絕緣層遮擋的部分以得到位于所述隔離層相對兩側的第一浮柵導電層與第二浮柵導電層； 形成覆蓋所述第一絕緣層、所述第二絕緣層及所述隔離層的字線導電層，并圖案化所述字線導電層以得到至少兩條字線； 形成第一源極線與第二源極線于所述襯底中，所述第一源極線與所述第二源極線位于所述隔離層的相對兩側并與所述隔離層的側壁接觸。

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