漢陽大學校產學協力團鄭在景獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉漢陽大學校產學協力團申請的專利包括結晶IZTO氧化物半導體的薄膜晶體管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115088083B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180014080.4，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權包括結晶IZTO氧化物半導體的薄膜晶體管及其制造方法是由鄭在景;溫努日;金洸福設計研發完成，并于2021-02-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本包括結晶IZTO氧化物半導體的薄膜晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：提供了一種結晶IZTO氧化物半導體和包括該結晶IZTO氧化物半導體的薄膜晶體管。該薄膜晶體管包括：柵極；與柵極的上部或下部重疊并具有六方晶粒的結晶In?Zn?Sn氧化物IZTO溝道層；設置在柵極和IZTO溝道層之間的柵絕緣膜，以及連接至IZTO溝道層的各端的源極和漏極。
本發明授權包括結晶IZTO氧化物半導體的薄膜晶體管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種薄膜晶體管，包括： 柵極； 結晶In-Zn-Sn氧化物（IZTO）溝道層，所述結晶In-Zn-Sn氧化物（IZTO）溝道層與所述柵極的上部或下部重疊并具有六方晶粒； 柵絕緣層，所述柵絕緣層設置在所述柵極和所述IZTO溝道層之間；以及 源極和漏極，所述源極和漏極分別連接至所述IZTO溝道層的兩端， 其中所述六方晶粒是具有ZnOkIn2O3相的晶粒，其中k為3至11的整數，以及 其中所述IZTO溝道層還具有作為亞固相的xZnIn2O4-1-xZn2SnO4，xZnIn2O4-1-xZn2SnO4為尖晶石相，其中0x0.45。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人漢陽大學校產學協力團，其通訊地址為：韓國首爾；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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