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龍圖騰網(wǎng)獲悉京東方科技集團(tuán)股份有限公司申請的專利像素單元、顯示基板及顯示裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113629104B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010386995.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K59/121；該發(fā)明授權(quán)像素單元、顯示基板及顯示裝置是由徐攀;林奕呈;王玲;王國英;張星;韓影設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-05-09向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本像素單元、顯示基板及顯示裝置在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环N像素單元、顯示基板及顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。該像素單元中，存儲電容包括依次層疊的第一電極、第二電極和第三電極。由于每相鄰兩層電極可以形成一電容，因此該存儲電容可以由并聯(lián)的兩個(gè)電容組成，相應(yīng)的，該存儲電容的容值即為該并聯(lián)的兩個(gè)電容的容值之和。相對于相關(guān)技術(shù)，本申請記載的像素單元中存儲電容的容值更大，進(jìn)而，該像素單元包括的發(fā)光元件的發(fā)光準(zhǔn)確度更高，包括該像素單元的顯示基板顯示效果較好。

本發(fā)明授權(quán)像素單元、顯示基板及顯示裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種像素單元，其特征在于，所述像素單元包括：位于襯底基板上的薄膜晶體管和存儲電容；所述薄膜晶體管包括：有源層，柵極和源漏極；所述存儲電容包括：依次層疊的第一電極、第二電極和第三電極； 其中，所述第一電極位于所述有源層靠近所述襯底基板的一側(cè)，所述第一電極的材料包括金屬材料，且所述第一電極還同所述柵極和所述源漏極均用于形成導(dǎo)線外接信號端； 所述第二電極與所述有源層位于同層，所述第二電極與所述有源層為一體結(jié)構(gòu)； 所述第三電極與所述源漏極位于同層，所述第三電極與所述源漏極為一體結(jié)構(gòu)，且所述第三電極與所述第一電極電連接； 其中，所述薄膜晶體管包括：驅(qū)動(dòng)晶體管、開關(guān)晶體管和補(bǔ)償晶體管； 所述源漏極包括源極和漏極；所述第二電極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電連接，電連接的所述第三電極和所述第一電極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極電連接，所述第一電極在所述襯底基板上的正投影，與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極在所述襯底基板上的正投影重疊； 所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極中的任一所述電極在所述襯底基板上的正投影，與所述開關(guān)晶體管的有源層在所述襯底基板上的正投影，所述開關(guān)晶體管的柵極在所述襯底基板上的正投影，以及所述開關(guān)晶體管的源漏極在所述襯底基板上的正投影均不重疊； 所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極中的任一所述電極在所述襯底基板上的正投影，與所述補(bǔ)償晶體管的有源層在所述襯底基板上的正投影，所述補(bǔ)償晶體管的柵極在所述襯底基板上的正投影，以及所述補(bǔ)償晶體管的源漏極在所述襯底基板上的正投影均不重疊。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人京東方科技集團(tuán)股份有限公司，其通訊地址為：100015 北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。