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龍圖騰網獲悉北京大學申請的專利阻變式存儲器的操作電路及操作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114171086B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111471751.8，技術領域涉及：G11C13/00；該發明授權阻變式存儲器的操作電路及操作方法是由黃鵬;張逸舟;馮玉林;康晉鋒;劉曉彥;劉力鋒設計研發完成，并于2019-08-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本阻變式存儲器的操作電路及操作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種阻變式存儲器的操作電路及操作方法，操作電路包括至少一電容，串聯于一阻變式存儲器，使該阻變式存儲器通過該電容接地。操作方法是串聯至少一電容于一阻變式存儲器，使該阻變式存儲器通過該電容接地；施加成形或設定脈沖電壓于該阻變式存儲器，實現對該阻變式存儲器的成形或設定操作。本發明通過在每個RRAM的底電極端串聯一個電容，使該RRAM通過該電容接地，進而能夠實現快速、低功耗的RRAM陣列的批量成形或設定過程，加速RRAM陣列成形或設定過程，減小成形或設定過程中的能耗，并提升成形或設定后的RRAM器件性能。

本發明授權阻變式存儲器的操作電路及操作方法在權利要求書中公布了：1.一種阻變式存儲器的操作電路，其特征在于，該電路包括： 至少一電容，直接串聯于一阻變式存儲器，使該阻變式存儲器通過該電容接地； 其中，所述阻變式存儲器包括一阻變存儲器單元，所述阻變存儲器單元為具有一個阻變存儲器（RRAM）的1R結構、具有一個晶體管（Transistor）和一個阻變存儲器（RRAM）的1T1R結構、或者具有一個選通管（Selector）和一個阻變存儲器（RRAM）的1S1R結構； 所述阻變式存儲器為m×n的RRAM陣列結構，m和n均為大于等于1的自然數，在列方向上多個阻變存儲器單元的頂電極端連接于同一條位線，在行方向上多個阻變存儲器單元的底電極端連接于同一條字線，任意兩個阻變存儲器單元之間字線的線阻為Rwire，線容為Cwire，這些線容均為并聯，線容的影響能夠認為是在字線上通過一個大小為n×Cwire的電容接地；串聯至少一電容于一阻變式存儲器，是利用這些并聯的線容作為接地電容；成形或設定脈沖電壓施加于與多個阻變存儲器單元的頂電極端連接的位線； 所述成形脈沖電壓施加于與多個阻變存儲器單元的頂電極端連接的位線，具體包括： 通過位線端MUX選擇第一行位線BL1，字線端MUX懸空，使各列字線WL1、WL2、……、WLm通過電容接地；在第一行位線BL1上施加一定時長的成形脈沖，完成與第一行位線BL1連接的m個阻變存儲器單元成形過程； 與第一行位線BL1連接的m個阻變存儲器單元成形過程完成后，打開字線端MUX并接地，將電容上的電壓重置為0；隨后，關閉字線端MUX，再通過位線端MUX選通第二行位線BL2，在第二行位線BL2上施加一定時長的成形電壓，完成與第二行位線BL2連接的m個阻變存儲器單元的成形過程； 重復上述過程，直到完成與第n行位線BLn連接的m個阻變存儲器單元的成形過程，使得整個阻變存儲器陣列成形過程完成。

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