買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉山東大學(xué)申請的專利一種基于動(dòng)態(tài)參數(shù)刻蝕與后處理的碳化硅刻蝕方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120356825B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510857652.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/3065；該發(fā)明授權(quán)一種基于動(dòng)態(tài)參數(shù)刻蝕與后處理的碳化硅刻蝕方法是由鐘宇;苑登文;韓吉?jiǎng)?徐現(xiàn)剛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-25向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種基于動(dòng)態(tài)參數(shù)刻蝕與后處理的碳化硅刻蝕方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種基于動(dòng)態(tài)參數(shù)刻蝕與后處理的碳化硅刻蝕方法，屬于微電子制作技術(shù)領(lǐng)域，在碳化硅襯底上沉積氧化硅層，勻膠顯影形成光刻膠阻擋層；干法刻蝕獲得垂直形貌的氧化硅層掩膜，去除表面光刻膠阻擋層；對襯底進(jìn)行第一次垂直性刻蝕，更換為含氫元素刻蝕氣體進(jìn)行第二次優(yōu)化刻蝕處理；在第二次優(yōu)化基礎(chǔ)上，固定含氫刻蝕氣體流量，改變剩余種類氣體比例并逐漸減小偏置功率，進(jìn)行第三、四次優(yōu)化刻蝕處理；去除剩余氧化硅層；在晶圓背面形成金屬薄膜；退火處理，獲得高質(zhì)量刻蝕表面和圓弧狀溝槽形貌。該方法簡便易行，刻蝕表面質(zhì)量高，界面陷阱數(shù)量少，底部溝槽形貌良好呈現(xiàn)圓弧狀，避免了電場集中，器件電學(xué)性能更加優(yōu)異。

本發(fā)明授權(quán)一種基于動(dòng)態(tài)參數(shù)刻蝕與后處理的碳化硅刻蝕方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于動(dòng)態(tài)參數(shù)刻蝕與后處理的碳化硅刻蝕方法，其特征在于，步驟如下： S1：在碳化硅襯底上，采用等離子體化學(xué)氣相沉積方式沉積氧化層； S2：在氧化層上旋涂光刻膠，經(jīng)過曝光、顯影、硬烘，形成光刻膠阻擋層； S3：對氧化層進(jìn)行干法刻蝕，形成氧化層阻擋層； S4：氧等離子體干法去除氧化層上剩余的光刻膠阻擋層； S5：以刻蝕氣體組合1采用電感耦合等離子刻蝕機(jī)方式刻蝕碳化硅，形成初始垂直碳化硅溝槽形貌，刻蝕深度=h1； S6：更換為含氫元素的混合刻蝕氣體組合2，在S5基礎(chǔ)上，對氧化硅-碳化硅樣品進(jìn)行初次優(yōu)化刻蝕，刻蝕深度=h2； S7：在S6基礎(chǔ)上，固定含氫刻蝕氣體流量不變，減小刻蝕偏置功率并調(diào)整其他氣體比例，對氧化層-碳化硅樣品依次進(jìn)行第二、第三次優(yōu)化刻蝕，刻蝕深度分別為h3，h4； S8：通過濕法酸洗去除剩余氧化層阻擋層； S9：在碳化硅襯底背面，通過物理氣相沉積方式沉積金屬層； S10：將溝槽狀碳化硅-金屬樣品在氮基氛圍下高溫退火處理； S11：退火后的樣品依次在濃硫酸和過氧化氫、氫氟酸和去離子水中清洗。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人山東大學(xué)，其通訊地址為：250100 山東省濟(jì)南市歷城區(qū)山大南路27號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。