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龍圖騰網(wǎng)獲悉貴州大學(xué);成都和鴻科技股份有限公司貴州分公司申請(qǐng)的專利一種帶熱障涂層雙層壁渦輪葉片的氣膜孔成形方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120306860B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510807751.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B23H9/10；該發(fā)明授權(quán)一種帶熱障涂層雙層壁渦輪葉片的氣膜孔成形方法是由張大斌;楊瑜琴;張俊飛;雷遠(yuǎn)欣;付勇權(quán)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-17向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種帶熱障涂層雙層壁渦輪葉片的氣膜孔成形方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及航空發(fā)動(dòng)機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種帶熱障涂層雙層壁渦輪葉片的氣膜孔成形方法。氣膜孔成形方法包括獲取渦輪葉片的外層壁和內(nèi)層壁之間的第一間距；根據(jù)第一間距小于或者等于渦輪葉片的外層壁和內(nèi)層壁之間的預(yù)設(shè)間距執(zhí)行如下步驟：獲取激光束于外層壁加工得到第一氣膜孔的第二深度；獲取電極沿第一氣膜孔于外層壁加工，直至電極于外層壁穿孔得到第二氣膜孔時(shí)電極的第一行程，其中，電極與內(nèi)層壁之間具有第二間距；根據(jù)電極于外層壁穿孔，及第二深度和第二氣膜孔的第三深度之和與第一深度一致獲得目標(biāo)氣膜孔。通過(guò)本發(fā)明方法解決電火花不能加工帶熱障涂層氣膜孔和激光加工易損傷背壁、界面分層和錐度等問(wèn)題。

本發(fā)明授權(quán)一種帶熱障涂層雙層壁渦輪葉片的氣膜孔成形方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種帶熱障涂層雙層壁渦輪葉片的氣膜孔成形方法，其特征在于，包括如下步驟： 獲取所述渦輪葉片的外層壁和內(nèi)層壁之間的第一間距； 根據(jù)所述第一間距小于或者等于所述渦輪葉片的外層壁和內(nèi)層壁之間的預(yù)設(shè)間距執(zhí)行如下步驟： 根據(jù)所述第一間距、所述外層壁的第一厚度、預(yù)設(shè)氣膜孔的第一深度和激光束的第一激光能量，獲取所述激光束于所述外層壁加工得到第一氣膜孔的第二深度，所述第二深度小于所述第一深度； 根據(jù)所述第一間距、所述第一厚度、所述第一深度和所述第二深度，獲取電極沿所述第一氣膜孔于所述外層壁加工，直至所述電極于所述外層壁穿孔得到第二氣膜孔時(shí)所述電極的第一行程，其中，所述電極與所述內(nèi)層壁之間具有第二間距，0＜第二間距≤第一間距； 根據(jù)所述電極于所述外層壁穿孔，及所述第二深度和所述第二氣膜孔的第三深度之和與所述第一深度一致獲得目標(biāo)氣膜孔； 所述外層壁包括熱障涂層段和金屬基體段，所述熱障涂層段包括陶瓷層和粘結(jié)層，所述陶瓷層為非導(dǎo)電層，所述粘結(jié)層和所述金屬基體段為導(dǎo)電層； 所述激光束于所述外層壁加工的方法包括如下步驟： 獲取所述預(yù)設(shè)氣膜孔的第一孔徑； 所述激光束于所述非導(dǎo)電層加工得到所述第一氣膜孔，所述第一氣膜孔的第二孔徑處于所述第一孔徑范圍內(nèi)，所述第一氣膜孔具有第四深度，所述第一氣膜孔底部至少部分位于所述粘結(jié)層； 所述激光束沿所述第一氣膜孔于所述導(dǎo)電層加工得到第二氣膜孔的第三孔徑和第五深度，其中，第三孔徑＜第二孔徑，第五深度＜第三深度； 所述電極沿所述激光束加工得到的所述第二氣膜孔于所述導(dǎo)電層加工得到所述第二氣膜孔的第四孔徑和第六深度，其中，第四孔徑＞第三孔徑，第六深度＞第五深度，或第六深度＜第五深度； 根據(jù)所述電極于所述導(dǎo)電層穿孔和所述第四孔徑處于所述第一孔徑范圍內(nèi)，及所述第四深度、所述第五深度和所述第六深度之和與所述第一深度一致，得到目標(biāo)氣膜孔； 所述電極沿所述第二氣膜孔于所述外層壁加工包括至少三個(gè)電極加工階段； 所述三個(gè)電極加工階段包括依次進(jìn)行的電極初始加工階段、電極中間加工階段和電極穿孔階段； 當(dāng)處于所述電極初始加工階段時(shí)，所述電極具有第一放電間隙； 當(dāng)處于所述電極中間加工階段時(shí)，所述電極具有第二放電間隙； 當(dāng)處于所述電極穿孔階段時(shí)，所述電極具有第三放電間隙； 其中，第一放電間隙＞第二放電間隙，第三放電間隙＞第二放電間隙，第一放電間隙≥第三放電間隙。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人貴州大學(xué);成都和鴻科技股份有限公司貴州分公司，其通訊地址為：550025 貴州省貴陽(yáng)市花溪區(qū)甲秀南路515號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。