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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳瑞波光電子有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體激光芯片外延器件及激光器獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114614341B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210055099.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/20；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體激光芯片外延器件及激光器是由黃義峰;胡海;汪衛(wèi)敏;劉文斌設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-01-18向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體激光芯片外延器件及激光器在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及半導(dǎo)體激光芯片外延器件及激光器。其中所述半導(dǎo)體激光芯片外延器件，包括：中間層；分別位于所述中間層的相背兩側(cè)且與所述中間層堆疊排列的第一包層和第二包層；其中，所述中間層，包括量子阱層；所述第二包層，包括沿所述第一包層、所述中間層和所述第二包層的堆疊方向依次設(shè)置的第一子包層、第二子包層和第三子包層；所述第一子包層的折射率小于所述第三子包層的折射率，且均屬于折射率呈連續(xù)變化或階梯變化的所述第二子包層的折射率區(qū)間。基于此，本發(fā)明能夠有效降低生長(zhǎng)工藝帶來的材料組分偏差對(duì)激光器特性的影響，并確保激光器在垂直方向上低損耗單模輸出。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體激光芯片外延器件及激光器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體激光芯片外延器件，其特征在于，包括： 中間層； 分別位于所述中間層的相背兩側(cè)且與所述中間層堆疊排列的第一包層和第二包層；其中， 所述中間層，包括量子阱層； 所述第二包層，包括沿所述第一包層、所述中間層和所述第二包層的堆疊方向依次設(shè)置的第一子包層、第二子包層和第三子包層； 所述半導(dǎo)體激光芯片外延器件還包括： 襯底層； 所述第二包層、所述中間層和所述第一包層依次堆疊設(shè)置于所述襯底層上，且所述第二包層與所述襯底層相鄰設(shè)置； 所述第一子包層的折射率小于所述第三子包層的折射率，所述第二子包層的折射率呈連續(xù)變化，且所述第二子包層的最大折射率大于所述第三子包層的折射率； 當(dāng)所述第二子包層的折射率呈連續(xù)變化時(shí)，所述第二子包層的折射率沿所述堆疊方向逐漸增大。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人深圳瑞波光電子有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)華榮路496號(hào)德泰工業(yè)區(qū)10號(hào)廠房4層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。