西安微電子技術研究所全勇濤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安微電子技術研究所申請的專利一種PROM程序存儲區擴展EDAC校驗電路及方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114385410B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210033978.2,技術領域涉及:G06F11/10;該發明授權一種PROM程序存儲區擴展EDAC校驗電路及方法是由全勇濤;路海全;劉曙蓉;楊文清;賈可輝;賈森;劉秀娜;曲翕設計研發完成,并于2022-01-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種PROM程序存儲區擴展EDAC校驗電路及方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種PROM程序存儲區擴展EDAC校驗電路及方法,用于解決現有星載計算機PROM程序區單比特數據錯誤的問題,降低空間環境單粒子翻轉的風險,提高產品的可靠性。包括集成有EDAC糾檢錯功能的處理器、SRAM數據存儲區和PROM程序存儲校驗區;其中,SRAM數據存儲區包括用于存儲數據的第一SRAM和用于存儲SRAM區EDAC碼的第二SRAM,PROM程序存儲校驗區包括多片用于存儲程序的PROM以及用于存儲程序區EDAC校驗碼的PROM;處理器的數據總線接用于存儲程序的PROM,處理器的EDAC總線接用于存儲程序區EDAC校驗碼的PROM。
本發明授權一種PROM程序存儲區擴展EDAC校驗電路及方法在權利要求書中公布了:1.一種PROM程序存儲區擴展EDAC校驗電路,其特征在于,包括集成有EDAC糾檢錯功能的處理器(1)、SRAM數據存儲區和PROM程序存儲校驗區; 其中,所述SRAM數據存儲區包括用于存儲數據的第一SRAM(3)和用于存儲SRAM區EDAC碼的第二SRAM(4),所述PROM程序存儲校驗區包括多片用于存儲程序的PROM以及用于存儲程序區EDAC校驗碼的PROM; 所述處理器(1)的地址總線A[2:20]通過驅動器(2)分別接第一SRAM(3)和第二SRAM(4)的地址線A[0:18],所述處理器(1)的地址總線A[2:16]通過驅動器(2)分別接PROM存儲器的地址線A[0:14]; 所述處理器(1)的數據總線接用于存儲程序的PROM,所述處理器(1)的EDAC總線接用于存儲程序區EDAC校驗碼的PROM; 所述用于存儲程序的PROM包括第一PROM(5)、第二PROM(6)、第三PROM(7)和第四PROM(8),所述存儲程序區EDAC校驗碼的PROM包括第五PROM(9); 其中,所述第一PROM(5)的數據總線接所述處理器(1)的數據總線D[0:7],第二PROM(6)的數據總線接所述處理器(1)的數據總線D[8:15],第三PROM(7)的數據總線接所述處理器(1)的數據總線D[16:23],第四PROM(8)的數據總線接所述處理器(1)的數據總線D[24:31],第五PROM(9)的數據總線接所述處理器(1)的EDAC總線CB[0:7]。
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