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龍圖騰網(wǎng)獲悉江南大學(xué)申請(qǐng)的專利一種用于STT-MRAM的混合型寫(xiě)入結(jié)構(gòu)及寫(xiě)入方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114121069B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111337304.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C11/16；該發(fā)明授權(quán)一種用于STT-MRAM的混合型寫(xiě)入結(jié)構(gòu)及寫(xiě)入方法是由姜巖峰;成關(guān)壹設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種用于STT-MRAM的混合型寫(xiě)入結(jié)構(gòu)及寫(xiě)入方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及一種用于STT?MRAM的混合型寫(xiě)入結(jié)構(gòu)及寫(xiě)入方法，屬于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的混合型寫(xiě)入結(jié)構(gòu)通過(guò)兩個(gè)晶體管并聯(lián)，并調(diào)節(jié)晶體管的寬度來(lái)適當(dāng)控制流過(guò)MTJ的電流的減小幅度，以增加STT?MTJ的使用壽命。進(jìn)一步，由于MTJ器件的壽命受電壓影響較大，電壓越高，壽命越短，故本發(fā)明提出的一種采用雙電源的混合型寫(xiě)入結(jié)構(gòu)，在所述STT?MRAM的不同寫(xiě)入操作提供不同的寫(xiě)入電壓，并通過(guò)在STT?MRAM寫(xiě)入操作時(shí)使第一寫(xiě)入電壓大于第二寫(xiě)入電壓，以使得所述STT?MRAM在寫(xiě)“0”操作時(shí)，流過(guò)所述STT?MTJ的電流更小，同時(shí)實(shí)現(xiàn)低電壓寫(xiě)入，能夠進(jìn)一步增加STT?MTJ的使用壽命。

本發(fā)明授權(quán)一種用于STT-MRAM的混合型寫(xiě)入結(jié)構(gòu)及寫(xiě)入方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種用于STT-MRAM的混合型寫(xiě)入電路，其特征在于，所述寫(xiě)入電路包括：STT-MTJ、第一晶體管M1和第二晶體管M2；其中，所述第一晶體管M1和所述第二晶體管M2并聯(lián)，并與所述STT-MTJ連接； 所述寫(xiě)入電路在執(zhí)行寫(xiě)入操作時(shí)，當(dāng)STT-MRAM的源線SL1和SL2端接寫(xiě)入電壓VW，位線BL端接GND時(shí)，寫(xiě)入電流從所述STT-MTJ的固定層流向自由層，所述STT-MRAM進(jìn)行寫(xiě)“1”操作； 當(dāng)STT-MRAM的位線BL端接寫(xiě)入電壓VW時(shí)，所述STT-MRAM的源線SL1接GND，所述第二晶體管M2處于截止?fàn)顟B(tài)，寫(xiě)入電流從所述STT-MTJ的自由層流向固定層，所述STT-MRAM進(jìn)行寫(xiě)“0”操作； 所述STT-MRAM進(jìn)行寫(xiě)“0”操作時(shí)寫(xiě)入電流I W0由所述第一晶體管M1提供，I W0 =I M1； 所述STT-MRAM進(jìn)行寫(xiě)“1”操作時(shí)寫(xiě)入電流I W1由所述第一晶體管M1和所述第二晶體管M2共同提供，I W1 =I M1 +I M2； 所述STT-MRAM進(jìn)行寫(xiě)“0”操作時(shí)的寫(xiě)入電流I W0小于所述STT-MRAM進(jìn)行寫(xiě)“1”操作時(shí)的寫(xiě)入電流I W1； 所述STT-MRAM中的STT-MTJ的TMR值為：TMR=R P（R P+R AP）；其中，當(dāng)STT-MRAM進(jìn)行寫(xiě)“0”操作時(shí)，STT-MTJ的阻值R MTJ =R P；當(dāng)STT-MRAM進(jìn)行寫(xiě)“1”操作時(shí)，STT-MTJ的阻值R MTJ =R AP；該TMR值在大于150%的情況下，所述寫(xiě)入電路滿足I W1 I W0的要求。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人江南大學(xué)，其通訊地址為：214122 江蘇省無(wú)錫市濱湖區(qū)蠡湖大道1800號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。