臺灣積體電路制造股份有限公司吳國暉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利集成電路及其形成方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113363258B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110530280.7,技術領域涉及:H10D84/85;該發明授權集成電路及其形成方法是由吳國暉;王柏鈞;蔡維欣;陳志良;田麗鈞設計研發完成,并于2021-05-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成電路及其形成方法在說明書摘要公布了:本發明的實施例公開了集成電路及其形成方法。集成電路包括第一電源軌、第二電源軌、信號線和第一組晶體管的第一有源區。第一電源軌在襯底的背側上,并且在第一方向上延伸。第二電源軌在襯底的背側上,在第一方向上延伸,并且在不同于第一方向的第二方向上與第一電源軌分離。信號線在襯底的背側上,并且在第一方向上延伸,并且在第一電源軌和第二電源軌之間。第一組晶體管的第一有源區在第一方向上延伸,并且在襯底的與背側相對的前側的第一層級上。
本發明授權集成電路及其形成方法在權利要求書中公布了:1.一種集成電路,包括: 第一電源軌,在襯底的背側上并沿第一方向延伸, 第二電源軌,在所述襯底的所述背側上,在所述第一方向上延伸,并且在與所述第一方向不同的第二方向上與所述第一電源軌分離; 信號線,在所述襯底的所述背側上,并且在所述第一方向上延伸,并且在所述第一電源軌和所述第二電源軌之間;以及 第一晶體管組的第一有源區,所述第一有源區在所述第一方向上延伸,并且位于所述襯底的與所述背側相對的前側的第一層級上; 第二晶體管組的第二有源區,所述第二有源區在所述第一方向上延伸,在所述襯底的所述前側的所述第一層級上,并且在所述第二方向上與所述第一有源區分離; 第一接觸件,在所述第二方向上延伸,與所述第一有源區和所述信號線重疊,并且位于與所述第一層級不同的第二層級上;以及 第二接觸件,在所述第二方向上延伸,與所述第二有源區和所述信號線重疊,位于所述第二層級上,通過所述信號線電連接到所述第一接觸件, 其中,所述第一接觸件完全包封在所述第一有源區的周圍,所述第二接觸件完全包封在所述第二有源區的周圍。
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