蘇州洛合鐳信光電科技有限公司;中興光電子技術有限公司李瑋淳獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉蘇州洛合鐳信光電科技有限公司;中興光電子技術有限公司申請的專利半導體光源及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114512896B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011148457.9，技術領域涉及：H01S5/20；該發明授權半導體光源及制備方法是由李瑋淳設計研發完成，并于2020-10-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體光源及制備方法在說明書摘要公布了：本發明實施例公開了一種半導體光源及制備方法，其中，半導體光源的制備方法包括以下步驟：在襯底的第一表面形成包括沿光傳輸方向依次劃分的有源區和無源區的外延層；在所述有源區制作單波導；在所述無源區制作多波導，所述單波導的出射端與所述多波導的入射端連接。通過該方法，在光的傳輸方向設置外延層，并將其劃分成有源區和無源區，然后在有源區設置單波導結構、無源區設置多波導結構和將單波導結構的出射端與多波導結構的入射端連接，使得光束由單波導結構緩變為多波導結構，獲得擴大的近場模斑，實現邊發射芯片以小發散角輸出，從而獲得較高的光耦合效率。
本發明授權半導體光源及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體光源，其特征在于，包括襯底以及設置在所述襯底的第一表面的外延層，所述外延層包括沿光傳輸方向依次劃分的有源區和無源區，其中： 所述有源區設置有單波導，所述外延層包括激光器，所述激光器包括沿外延生長方向依次設置的第一量子阱層、光柵層和第一波導層，所述第一量子阱層、所述光柵層和所述第一波導層位于所述有源區，所述單波導包括設置在所述第一波導層的第一單波導，所述單波導表征在與所述激光器出光面垂直的同一水平面上、沿光傳輸方向唯一設置的波導； 所述無源區設置有多波導，所述無源區包括具有所述多波導的波導層，所述多波導包括在與所述激光器出光面垂直的同一水平面上、沿光傳輸方向設置的多條波導； 所述單波導的出射端與所述多波導的入射端連接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州洛合鐳信光電科技有限公司;中興光電子技術有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市蘇州工業園區星湖街328號創意產業園5-B4F；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號