中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司陳卓凡獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114203696B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010988492.5，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法是由陳卓凡設計研發完成，并于2020-09-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及半導體結構的形成方法，結構包括：襯底；位于襯底上若干平行排列的柵極結構；位于各柵極結構兩側襯底內的源漏摻雜區；位于柵極結構部分側壁的側墻結構，所述側墻結構的頂部表面低于所述柵極結構的頂部表面；位于所述源漏摻雜區上的導電層，所述導電層與柵極結構之間由側墻結構隔離；位于導電層上和側墻結構上的阻擋層。所述半導體結構中的阻擋層和側墻結構能夠共同保護所述導電層的頂部表面和側壁表面，減少所述導電層受到損傷。
本發明授權半導體結構及半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底； 位于襯底上若干平行排列的柵極結構； 位于各柵極結構兩側襯底內的源漏摻雜區； 位于柵極結構部分側壁的側墻結構，所述側墻結構的頂部表面低于所述柵極結構的頂部表面； 位于所述源漏摻雜區上的導電層，所述導電層的頂部表面低于所述柵極結構的頂部表面，所述導電層與柵極結構之間由側墻結構隔離； 位于導電層上和側墻結構上的阻擋層，所述阻擋層的頂部表面低于或齊平于所述柵極結構頂部表面； 位于部分柵極結構內的隔離結構，所述隔離結構位于部分所述側墻結構側壁和阻擋層側壁。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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