中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司王楠獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113823689B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010567168.6，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體器件及其形成方法是由王楠設計研發完成，并于2020-06-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體器件及其形成方法，其中半導體器件包括：基底；柵極結構，位于所述基底上，包括第一區和第二區，所述第一區的柵極結構長度大于所述第二區的柵極結構長度；分割段，位于所述第一區的柵極結構內，所述分割段的頂部表面高于所述柵極結構的頂部表面；用在柵極結構內形成分割段，分割段的頂部表面高于柵極結構的頂部表面，這樣后續在柵極結構上形成金屬層作為互連層時，金屬層與柵極結構之間的短接問題得到解決，使得形成的半導體器件的質量得到提高。
本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括： 基底； 柵極結構，位于所述基底上，包括第一區和第二區，所述第一區的柵極結構長度大于所述第二區的柵極結構長度，所述柵極結構包括柵介質層； 分割段，位于所述第一區的柵極結構內，所述分割段的頂部表面高于所述柵極結構的頂部表面，所述分割段的底部位于所述柵介質層的表面； 金屬層，所述金屬層的底部表面與所述分割段一側處的所述柵極結構的頂部表面接觸，所述分割段將所述金屬層與所述分割段另一側的柵極結構進行隔離。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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