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龍圖騰網獲悉創新有限公司申請的專利用于加工半導體材料的方法和光學系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113811981B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080034669.6，技術領域涉及：H01L21/20；該發明授權用于加工半導體材料的方法和光學系統是由S·格伯特;H·卡勒特設計研發完成，并于2020-04-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于加工半導體材料的方法和光學系統在說明書摘要公布了：公開了一種用于加工半導體材料層、尤其是用于生成結晶半導體層的方法和光學系統。該方法具有以下步驟：?提供具有第一激光脈沖76的第一激光束74和具有第二激光脈沖86的第二激光束84，?借助光束成形裝置將第一激光脈沖76和第二激光脈沖86整形為線形的、具有短軸和長軸的激光脈沖，?借助成像裝置將成形的線形激光脈沖在半導體材料層上成像為具有短軸和長軸的照射線，其中，該方法還包括以下步驟：?設定第一激光脈沖76的偏振方向在照射線36的短軸方向上，?設定第二激光脈沖86的偏振方向在照射線的長軸方向上，以及?使第二激光脈沖86相對于第一激光脈沖76在時間上延遲預定時間間隔Δt，所述預定時間間隔Δt選擇為，使得成像在半導體材料層上的照射線具有第一最大值M1和第二最大值M2的脈沖形狀的組合時間強度變化曲線96。

本發明授權用于加工半導體材料的方法和光學系統在權利要求書中公布了：1.一種用于生成結晶半導體層的方法，具有以下步驟： -提供具有第一激光脈沖76的第一激光束74和具有第二激光脈沖86的第二激光束84， -借助光束成形裝置32將所述第一激光脈沖76和所述第二激光脈沖86整形為線形的、具有短軸和長軸的激光脈沖， -借助成像裝置34將這樣成形的線形激光脈沖在半導體材料層12上成像為具有短軸和長軸的照射線36， 其中，該方法還包括以下步驟： -借助于第一偏振裝置將所述第一激光脈沖76的偏振方向校準在所述照射線36的短軸方向上， -借助于第二偏振裝置將所述第二激光脈沖86的偏振方向校準在所述照射線36的長軸方向上，以及 -使所述第二激光脈沖86相對于所述第一激光脈沖76時間延遲預定時間間隔Δt，所述預定時間間隔Δt選擇為，使得成像在所述半導體材料層12上的照射線36具有脈沖形狀的組合時間強度變化曲線96，該組合時間強度變化曲線96具有第一最大值M1和第二最大值M2，其中所述第一激光脈沖76和所述第二激光脈沖86各自具有在15ns和20ns之間的時間半值寬度，并且其中所述預定時間間隔Δt為10ns至20ns。

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