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龍圖騰網獲悉株式會社半導體能源研究所申請的專利顯示設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116343705B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310341421.X，技術領域涉及：G09G3/36；該發明授權顯示設備是由山崎舜平;小山潤;三宅博之;津吹將志;野田耕生設計研發完成，并于2010-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本顯示設備在說明書摘要公布了：本發明涉及一種顯示設備，包括：包括源極、漏極和溝道形成區的晶體管，所述溝道形成區包括氧化物半導體；電連接到所述晶體管的所述源極或所述漏極的像素電極；以及與所述像素電極相鄰的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃測量的特定電阻率大于或等于1×1012Ω·cm。

本發明授權顯示設備在權利要求書中公布了：1.一種顯示設備，包括： 包括晶體管的像素部分；以及 電連接到所述像素部分的柵極線驅動電路， 其中，所述像素部分的所述晶體管包括氧化物半導體層，所述氧化物半導體層包括溝道形成區， 其中，所述像素部分被配置為以第一模式和第二模式顯示，在所述第一模式的期間向所述柵極線驅動電路提供起動脈沖，所述第二模式包括停止向所述柵極線驅動電路提供起動脈沖的周期， 其中，所述像素部分的所述晶體管還包括第一導電層、第二導電層、第三導電層、第四導電層和第五導電層， 其中，所述氧化物半導體層包括位于所述第一導電層上的區域， 其中，所述第二導電層包括位于所述氧化物半導體層上的區域， 其中，所述第三導電層包括位于所述氧化物半導體層上的區域， 其中，所述第四導電層包括隔著絕緣層位于所述氧化物半導體層上的區域， 其中，所述第五導電層包括位于所述絕緣層上的區域， 其中，所述第二導電層包括與所述氧化物半導體層接觸的區域， 其中，所述第三導電層包括與所述氧化物半導體層接觸的區域， 其中，所述第三導電層包括與所述第一導電層接觸的區域， 其中，所述第三導電層包括與所述第五導電層接觸的區域， 其中，所述第四導電層被配置為用作所述像素部分的所述晶體管的柵電極， 其中，在截面圖中，所述氧化物半導體層包括位于所述第一導電層與所述第三導電層之間的區域， 其中，在平面圖中，所述氧化物半導體層與所述第一導電層的邊緣重疊，且 其中，在所述平面圖中，與所述第四導電層重疊的所述溝道形成區被所述第一導電層的所述邊緣包圍。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社半導體能源研究所，其通訊地址為：日本神奈川縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。