上海華力微電子有限公司鄭鴻柱獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華力微電子有限公司申請的專利半導體結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114883336B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210418472.3，技術領域涉及：H10B41/42；該發明授權半導體結構及其制造方法是由鄭鴻柱;張利東設計研發完成，并于2022-04-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體結構及其制造方法。本發明提供的半導體結構制造方法中，先在存儲單元區和邏輯電路區中形成第一氧化層和氮化硅層；然后，對邏輯電路區進行保護，并對存儲單元區執行第一刻蝕工藝，以去除存儲單元區中柵極結構頂部和襯底上的氮化硅層；接著，在存儲單元區和邏輯電路區中沉積第二氧化層，并對存儲單元區和邏輯電路區執行第二刻蝕工藝，以在存儲單元區和邏輯電路區中的柵極結構的側壁上形成ONO結構的側墻。利用本發明提供的制造方法，對邏輯電路區僅執行一次刻蝕工藝，有效防止發生過刻蝕，保護側墻結構不被損傷，確保后續工藝不受影響，從而有助于提高器件良率和可靠性。
本發明授權半導體結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于， 提供襯底，所述襯底包括存儲單元區和邏輯電路區，所述存儲單元區和所述邏輯電路區中均形成有柵極結構； 依次形成第一氧化層和氮化硅層，覆蓋各個所述柵極結構及所述襯底； 在所述邏輯電路區中覆蓋保護層，并將所述存儲單元區暴露出來； 采用第一刻蝕工藝，刻蝕去除所述存儲單元區中位于所述柵極結構頂部和所述襯底上的氮化硅層； 去除所述邏輯電路區中的所述保護層； 形成第二氧化層，覆蓋各個所述柵極結構及所述襯底，其中，在所述存儲單元區中，所述第二氧化層填滿相鄰的柵極結構之間的空隙； 采用第二刻蝕工藝，刻蝕去除所述存儲單元區中位于所述柵極結構頂部和所述柵極結構之間的第二氧化層和第一氧化層，以及去除所述邏輯電路區中位于所述柵極結構和所述襯底上的第二氧化層、氮化硅層和第一氧化層，以在所述存儲單元區和所述邏輯電路區中的柵極結構的側壁上形成側墻結構。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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