虎翅凌云集成電路制造有限責任公司王悅獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉虎翅凌云集成電路制造有限責任公司申請的專利磷化銦雙異質結雙極型晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114864682B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210387714.7，技術領域涉及：H10D10/80；該發明授權磷化銦雙異質結雙極型晶體管是由王悅設計研發完成，并于2022-04-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本磷化銦雙異質結雙極型晶體管在說明書摘要公布了：本發明涉及一種磷化銦雙異質結雙極型晶體管，屬于半導體器件技術領域。本發明公開的磷化銦雙異質結雙極型晶體管結構，在磷化銦襯底上采用應變銦砷磷過渡區消除了銦鎵砷基區與磷化銦集電區之間的導帶勢壘，構建出無電子阻擋效應的雙異質結雙極型晶體管，提升了所述晶體管在頻率、增益與擊穿電壓方面的電學性能。
本發明授權磷化銦雙異質結雙極型晶體管在權利要求書中公布了：1.一種雙異質結雙極型晶體管，其特征在于，包括： 單晶磷化銦襯底，由單晶半絕緣磷化銦材料形成； 亞集電區，設置在所述單晶磷化銦襯底之上，由N型III-V族半導體形成； 集電區，設置在所述亞集電區之上，由N型III-V族半導體形成； 基區，設置在所述集電區之上，由P型銦鎵砷半導體形成； 發射區，設置在所述基區之上，由N型III-V族半導體形成； 歐姆接觸層，設置在所述發射區之上，由N型III-V族半導體形成； 所述集電區采用三種N型III-V族半導體材料形成復合集電區，其材料組份按照銦鎵砷層、應變銦砷磷層、磷化銦層的順序依次設置，所述銦鎵砷層臨近所述基區，所述磷化銦層臨近所述亞集電區，所述應變銦砷磷層設置在所述銦鎵砷層與所述磷化銦層中間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人虎翅凌云集成電路制造有限責任公司，其通訊地址為：200000 上海市浦東新區自由貿易試驗區臨港新片區環湖西二路888號C樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號