長鑫存儲技術有限公司夏軍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體器件的制造方法和半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116096224B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111300177.X，技術領域涉及：H10N97/00；該發明授權半導體器件的制造方法和半導體器件是由夏軍;白世杰設計研發完成，并于2021-11-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件的制造方法和半導體器件在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體器件的制造方法和半導體器件；制造方法包括：提供半導體襯底，襯底具有第一區域和第二區域；在襯底的上表面形成初始掩膜層；圖形化初始掩膜層，在第一區域上形成具有第一高度的第一圖形掩膜，在第二區域上形成具有第二高度的第二圖形掩膜，第一圖形掩膜的圖形密度大于第二圖形掩膜的圖形密度，第一高度大于第二高度；基于第一圖形掩膜和第二圖形掩膜對襯底進行刻蝕，將第一圖形掩膜的圖形轉移至第一區域，將第二圖形掩膜的圖形轉移至第二區域。本申請的方案在掩膜的圖形密度不同的區域形成不同的掩膜厚度，平衡不同圖形密度在刻蝕過程中所帶來的刻蝕負載效應，提升高深寬比結構的蝕刻能力，減少缺陷來源。
本發明授權半導體器件的制造方法和半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供半導體襯底，所述襯底具有第一區域和第二區域； 在所述襯底的上表面形成初始掩膜層； 圖形化所述初始掩膜層，包括：提供第一圖形模板，在所述第一區域上的所述初始掩膜層中形成第一圖形掩膜，在所述第二區域上的所述初始掩膜層中形成第二圖形掩膜，所述第一圖形掩膜的圖形密度大于所述第二圖形掩膜的圖形密度；部分刻蝕所述第二圖形掩膜，使得所述第二圖形掩膜的高度小于所述第一圖形掩膜的高度； 基于所述第一圖形掩膜和所述第二圖形掩膜對所述襯底進行刻蝕，將所述第一圖形掩膜的圖形轉移至所述第一區域，將所述第二圖形掩膜的圖形轉移至所述第二區域。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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