應用材料公司弗拉基米爾·納戈爾尼獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉應用材料公司申請的專利用于半導體處理的等離子體源獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115868001B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180050336.7，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權用于半導體處理的等離子體源是由弗拉基米爾·納戈爾尼設計研發完成，并于2021-07-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于半導體處理的等離子體源在說明書摘要公布了：本技術包含等離子體源，等離子體源包括第一板，所述第一板限定以第一組列布置的第一多個孔口。第一板可包括第一組電極，所述第一組電極沿第一組列中單獨的列延伸。等離子體源可包括第二板，所述第二板限定以第二組列布置的第二多個孔口。第二板可包括第二組電極，所述第二組電極沿第二組列中單獨的列延伸。第二多個孔口中每一孔口可與第一多個孔口中的孔口軸向對準。等離子體源可包括定位于第一板與第二板之間的第三板。第三板可限定第三多個孔口。
本發明授權用于半導體處理的等離子體源在權利要求書中公布了：1.一種等離子體源，所述等離子體源包含： 第一板，所述第一板限定以第一組列布置的第一多個孔口，其中所述 第一板包含第一組電極，所述第一組電極中的每一電極沿所述第一組列的單獨列延伸； 第二板，所述第二板限定以第二組列布置的第二多個孔口，其中所述 第二板包含第二組電極，所述第二組電極中的每一電極沿所述第二組列中的單獨列延伸，且其中所述第二多個孔口中的每一孔口與所述第一多個孔口中的孔口軸向對準；及 第三板，所述第三板定位于所述第一板與所述第二板之間，其中所述第三板限定第三多個孔口，所述第三多個孔口中的每一孔口與所述第一多個孔口中的孔口及所述第二多個孔口中的孔口軸向對準，其中所述第一組電極中的每一電極沿所述第一板的第一表面延伸，且其中所述第一組電極中的每一電極進一步完全地沿與相關聯的電極相交的所述第一多個孔口中的每一孔口的側壁從所述第一板的所述第一表面到所述第一板的第二表面延伸，所述第二表面與所述第一表面相對。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人應用材料公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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