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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利偶極設(shè)計(jì)高K柵極電介質(zhì)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113257898B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110029535.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)偶極設(shè)計(jì)高K柵極電介質(zhì)及其形成方法是由賴德洋;彭峻彥;楊世海;徐志安設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-01-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本偶極設(shè)計(jì)高K柵極電介質(zhì)及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及偶極設(shè)計(jì)高K柵極電介質(zhì)及其形成方法。一種方法，包括：在第一半導(dǎo)體區(qū)域上形成氧化物層，以及在氧化物層之上沉積第一高k電介質(zhì)層。第一高k電介質(zhì)層由第一高k電介質(zhì)材料形成。該方法還包括在第一高k電介質(zhì)層之上沉積第二高k電介質(zhì)層，其中，第二高k電介質(zhì)層由不同于第一高k電介質(zhì)材料的第二高k電介質(zhì)材料形成，在從第一高k電介質(zhì)層和第二高k電介質(zhì)層中選擇的層之上并與該層相接觸地沉積偶極膜，執(zhí)行退火工藝以將偶極膜中的偶極摻雜劑驅(qū)入到該層中，去除偶極膜，以及在第二高k電介質(zhì)層之上形成柵極電極。

本發(fā)明授權(quán)偶極設(shè)計(jì)高K柵極電介質(zhì)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，包括： 在第一半導(dǎo)體區(qū)域上形成第一氧化物層； 在所述第一氧化物層之上沉積第一高k電介質(zhì)層，其中，所述第一高k電介質(zhì)層由第一高k電介質(zhì)材料形成； 在所述第一高k電介質(zhì)層之上沉積第二高k電介質(zhì)層，其中，所述第二高k電介質(zhì)層由不同于所述第一高k電介質(zhì)材料的第二高k電介質(zhì)材料形成； 在所述第二高k電介質(zhì)層之上并與所述第二高k電介質(zhì)層相接觸地沉積第一偶極膜； 執(zhí)行第一退火工藝以將所述第一偶極膜中的第一偶極摻雜劑驅(qū)入到所述第二高k電介質(zhì)層中； 去除所述第一偶極膜；以及 在所述第二高k電介質(zhì)層之上形成第一柵極電極； 其中所述方法還包括： 在沉積所述第二高k電介質(zhì)層之前，在所述第一高k電介質(zhì)層之上并與所述第一高k電介質(zhì)層相接觸地沉積第二偶極膜； 在沉積所述第二偶極膜之后，執(zhí)行第二退火工藝以將所述第二偶極膜中的第二偶極摻雜劑驅(qū)入到所述第一高k電介質(zhì)層中； 在執(zhí)行了所述第二退火工藝之后，去除所述第二偶極膜。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。