無錫華潤上華科技有限公司趙景川獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695510B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011630768.9，技術領域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制造方法是由趙景川;何乃龍;張森;張志麗;王浩設計研發(fā)完成，并于2020-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制造方法，所述器件包括：襯底，具有第二導電類型；漂移區(qū)，設于所述襯底上，具有第一導電類型，第一導電類型和第二導電類型為相反的導電類型；多層摻雜結構，設于所述漂移區(qū)中，每層摻雜結構包括至少一根沿導電溝道長度方向延伸的摻雜條；多根摻雜多晶硅柱,設于所述漂移區(qū)中,并從上至下貫穿至少一層摻雜結構的摻雜條，各所述摻雜多晶硅柱的摻雜離子的導電類型與各所述摻雜條的摻雜離子的導電類型相反。本發(fā)明由于形成了注入孔，因此離子注入不受深度的約束，并且可以在漂移區(qū)體內形成多重RESURF結構多個導電通道。能夠提高擊穿電壓降低導通電阻。
本發(fā)明授權橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，包括： 襯底，具有第二導電類型； 漂移區(qū)，設于所述襯底上，具有第一導電類型，第一導電類型和第二導電類型為相反的導電類型； 多層摻雜結構，設于所述漂移區(qū)中，每層摻雜結構包括至少一根沿導電溝道長度方向延伸的摻雜條； 多根摻雜多晶硅柱,設于所述漂移區(qū)中,并從上至下貫穿所述多層摻雜結構的摻雜條，各所述摻雜多晶硅柱的摻雜離子的導電類型與各所述摻雜條的摻雜離子的導電類型相反； 其中，所述第一導電類型是N型，所述第二導電類型是P型，各所述摻雜條為P型摻雜，各所述摻雜多晶硅柱是N型摻雜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人無錫華潤上華科技有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市國家高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)新洲路8號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
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