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龍圖騰網獲悉琳得科株式會社申請的專利半導體芯片的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114902377B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080090603.9，技術領域涉及：H01L21/301；該發明授權半導體芯片的制造方法是由篠田智則;根本拓;田村櫻子;森下友堯;四宮圭亮設計研發完成，并于2020-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體芯片的制造方法在說明書摘要公布了：一種半導體芯片的制造方法，其依次包含下述工序S1～S4，·工序S1：準備半導體芯片制作用晶圓的工序，在該半導體芯片制作用晶圓中，在具有帶凸塊的凸塊形成面的半導體晶圓的所述凸塊形成面，以未達到背面的方式形成有作為分割預定線的槽部；·工序S2：將第一固化性樹脂x1按壓并貼付于所述半導體芯片制作用晶圓的所述凸塊形成面，利用第一固化性樹脂x1覆蓋所述半導體芯片制作用晶圓的所述凸塊形成面的同時，將所述第一固化性樹脂x1嵌入在所述半導體芯片制作用晶圓形成的所述槽部的工序；·工序S3：使所述第一固化性樹脂x1固化，得到帶有第一固化樹脂膜r1的半導體芯片制作用晶圓的工序；·工序S4：將帶有所述第一固化樹脂膜r1的半導體芯片制作用晶圓沿著所述分割預定線單片化，得到至少所述凸塊形成面以及側面被所述第一固化樹脂膜r1覆蓋的半導體芯片的工序；在所述工序S2之后且所述工序S3之前、在所述工序S3之后且所述工序S4之前、或者在所述工序S4中，還包含下述工序S?BG，·工序S?BG：研磨所述半導體芯片制作用晶圓的所述背面的工序。

本發明授權半導體芯片的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體芯片的制造方法，其依次包含下述工序S1～S4， ·工序S1：準備半導體芯片制作用晶圓的工序，在該半導體芯片制作用晶圓中，在具有帶凸塊的凸塊形成面的半導體晶圓的所述凸塊形成面，以未達到背面的方式形成有作為分割預定線的槽部； ·工序S2：將第一固化性樹脂x1按壓并貼付于所述半導體芯片制作用晶圓的所述凸塊形成面，利用第一固化性樹脂x1覆蓋所述半導體芯片制作用晶圓的所述凸塊形成面的同時，將所述第一固化性樹脂x1嵌入在所述半導體芯片制作用晶圓形成的所述槽部的工序； ·工序S3：使所述第一固化性樹脂x1固化，得到帶有第一固化樹脂膜r1的半導體芯片制作用晶圓的工序； ·工序S4：將帶有所述第一固化樹脂膜r1的半導體芯片制作用晶圓沿著所述分割預定線單片化，得到至少所述凸塊形成面以及側面被所述第一固化樹脂膜r1覆蓋的半導體芯片的工序； 在所述工序S2之后且所述工序S3之前、在所述工序S3之后且所述工序S4之前、或者在所述工序S4中，還包含下述工序S-BG， ·工序S-BG：研磨所述半導體芯片制作用晶圓的所述背面的工序， 所述工序S2通過如下方式實施：將具有層疊第一支承片Y1和所述第一固化性樹脂x1的層X1而成的層疊結構的第一層疊體α1以所述層X1為貼付面按壓并貼付于所述半導體芯片制作用晶圓的所述凸塊形成面， 在所述工序S2之后且所述工序S3之前包含所述工序S-BG， 所述工序S-BG通過如下方式實施：在貼付有所述第一層疊體α1的狀態研磨所述半導體芯片制作用晶圓的所述背面后，將所述第一支承片Y1從所述第一層疊體α1剝離， 所述工序S4通過如下方式實施：將帶有所述第一固化樹脂膜r1的半導體芯片制作用晶圓的所述第一固化樹脂膜r1中的形成于所述槽部的部分沿著所述分割預定線切斷。

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