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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利散熱結構及制造散熱結構的方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110660759B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201910580121.0，技術領域涉及：H01L23/367；該發(fā)明授權散熱結構及制造散熱結構的方法是由黃博祥;劉欽洲;錢清河;張豐愿;李惠宇設計研發(fā)完成，并于2019-06-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本散熱結構及制造散熱結構的方法在說明書摘要公布了：本揭露描述了可以在三維系統(tǒng)整合晶片結構的功能區(qū)域或非功能區(qū)域中形成的散熱結構。在一些實施例中，散熱結構將記憶體晶?；蚓钠骄僮鳒囟染S持為低于約90℃。例如，散熱結構包括具有兩或多個晶片層的堆疊，其中兩或多個的晶片層的堆疊的一晶片層包括中心部分和邊緣部分，中心部分包括一或多個晶片，邊緣部分圍繞中心部分。邊緣部分包括熱界面材料環(huán)及導熱結構。熱界面材料環(huán)包括具有第一導熱率的第一材料。導熱結構包括具有高于第一導熱率的第二導熱率的第二材料。此結構還包括設置在堆疊的頂部晶片層上方的熱界面材料層，以及在熱界面材料層上方的散熱器。

本發(fā)明授權散熱結構及制造散熱結構的方法在權利要求書中公布了：1.一種散熱結構，其特征在于，包括： 多個晶片層的一堆疊，其中該多個晶片層的該堆疊的一晶片層包括： 一中心部分，包括一或多個晶片；以及 一邊緣部分，圍繞該中心部分并且包括： 一熱界面材料環(huán)，包括具有一第一導熱率的一第一材料；以及 一第一導熱結構，包括具有高于該第一導熱率的一第二導熱率的一第二材料，其中該第一導熱結構垂直延伸穿過該晶片層，并實體接觸該熱界面材料環(huán)，且其中該晶片層的該邊緣部分進一步包括： 一虛擬區(qū)域，位于該晶片層的該邊緣部分，其中該虛擬區(qū)域包括一介電材料，該介電材料設置在該熱界面材料環(huán)上并與該熱界面材料環(huán)實體接觸，其中該介電材料具有一第三導熱率低于該第一導熱率；以及 一第二導熱結構，橫向延伸穿過該虛擬區(qū)域的該介電材料； 一熱界面材料層，設置在該堆疊的一頂部晶片層上；以及 一散熱器，位于該熱界面材料層上方，其中該第一導熱結構、該第二導熱結構和該熱界面材料環(huán)配置以將該堆疊中產生的熱量經由該晶片層的該邊緣部分朝向該散熱器引導。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學工業(yè)園區(qū)力行六路八號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。