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龍圖騰網(wǎng)獲悉江蘇芯德半導(dǎo)體科技股份有限公司申請的專利一種晶圓級電感封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120341190B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510840130.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/31；該發(fā)明授權(quán)一種晶圓級電感封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法是由趙玥;徐倩倩;謝雨龍;張中設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種晶圓級電感封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種晶圓級電感封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，封裝結(jié)構(gòu)包括中介層、電磁凸塊、塑封體、塑封部和第三功能芯片，塑封體設(shè)有兩個(gè)，塑封體旋轉(zhuǎn)90度后垂直設(shè)于中介層正面，且對稱設(shè)置在電磁凸塊的兩側(cè)，使第一左側(cè)壁金屬層和第二左側(cè)壁金屬層朝向中介層正面，塑封體中的第一左側(cè)壁金屬層和第二左側(cè)壁金屬層通過中介層實(shí)現(xiàn)與電磁凸塊的電氣連接；塑封部包覆兩個(gè)塑封體和電磁凸塊，第三功能芯片集成在第一右側(cè)壁金屬層和第二右側(cè)壁金屬層表面。本發(fā)明提供的晶圓級電感封裝結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了在有限的空間內(nèi)高密度集成6顆芯片，顯著減小了封裝尺寸，且制備方法簡單。

本發(fā)明授權(quán)一種晶圓級電感封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種晶圓級電感封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 中介層，具有正面和背面，用于支撐和電氣連接； 電磁凸塊，設(shè)于中介層正面； 塑封體，具有襯底晶圓、設(shè)于襯底晶圓正面的第一功能芯片及設(shè)于襯底晶圓背面的第二功能芯片，所述襯底晶圓內(nèi)設(shè)有多個(gè)硅通孔，所述第一功能芯片和第二功能芯片通過硅通孔連接，所述第一功能芯片具有對外電氣連接的第一左側(cè)壁金屬層和第一右側(cè)壁金屬層，第二功能芯片具有對外電氣連接的第二左側(cè)壁金屬層和第二右側(cè)壁金屬層；所述塑封體設(shè)有兩個(gè)，塑封體旋轉(zhuǎn)90度后垂直設(shè)于中介層正面，且對稱設(shè)置在電磁凸塊的兩側(cè)，使第一左側(cè)壁金屬層和第二左側(cè)壁金屬層朝向中介層正面，塑封體中的第一左側(cè)壁金屬層和第二左側(cè)壁金屬層通過中介層實(shí)現(xiàn)與電磁凸塊的電氣連接； 塑封部，形成于中介層正面，包覆兩個(gè)塑封體和電磁凸塊，兩個(gè)塑封體的第一右側(cè)壁金屬層和第二右側(cè)壁金屬層表面裸露；在第一右側(cè)壁金屬層和第二右側(cè)壁金屬層表面形成第二再布線金屬層； 第三功能芯片，集成在兩個(gè)塑封體的第一右側(cè)壁金屬層和第二右側(cè)壁金屬層表面，通過第二再布線金屬層與第一右側(cè)壁金屬層和第二右側(cè)壁金屬層電氣連接，形成晶圓級電感封裝結(jié)構(gòu)。

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