北京智芯微電子科技有限公司;北京芯可鑒科技有限公司;復旦大學趙東艷獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京智芯微電子科技有限公司;北京芯可鑒科技有限公司;復旦大學申請的專利非易失性存儲單元數據讀取方法及存內計算數據讀取方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114694727B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210177188.1，技術領域涉及：G11C16/26；該發明授權非易失性存儲單元數據讀取方法及存內計算數據讀取方法是由趙東艷;陳燕寧;潘成;王于波;邵瑾;薛曉勇;趙文龍;吳峰霞;姜靜雯;郭之望設計研發完成，并于2022-02-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本非易失性存儲單元數據讀取方法及存內計算數據讀取方法在說明書摘要公布了：本申請實施例提供一種非易失性存儲單元數據讀取方法及存內計算數據讀取方法，屬于半導體技術領域。方法包括：響應于第一數據讀取指令，向非易失性存儲器件與位線連接的一端施加第一電壓，并向三端開關元件與源線連接的一端施加第二電壓，第二電壓低于第一電壓，且第一電壓與第二電壓的差值大于三端開關元件的閾值電壓；通過非易失性存儲器件與位線連接的一端獲取非易失性存儲器件的存儲數據。本申請能有效避免了現有的反向讀取過程中需對與非易失性存儲器件連接的源線施加高電壓，導致開關元件產生襯偏效應，進而導致開關元件閾值電壓變化，影響存儲單元的讀取速度和裕度的問題。
本發明授權非易失性存儲單元數據讀取方法及存內計算數據讀取方法在權利要求書中公布了：1.一種非易失性存儲單元數據讀取方法，所述非易失性存儲單元包括串聯連接的非易失性存儲器件及三端開關元件，其特征在于，所述讀取方法包括： 響應于第一數據讀取指令，向所述非易失性存儲器件與位線連接的一端施加第一電壓，并向所述三端開關元件與源線連接的一端施加第二電壓，所述第二電壓低于所述第一電壓，且所述第一電壓與所述第二電壓的差值大于所述三端開關元件的閾值電壓； 通過所述非易失性存儲器件與位線連接的一端獲取所述非易失性存儲器件的存儲數據； 其中，所述非易失性存儲單元為1T1R的阻變存儲器，所述第一數據讀取指令為指示對阻變存儲器進行反向讀取。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京智芯微電子科技有限公司;北京芯可鑒科技有限公司;復旦大學，其通訊地址為：100192 北京市海淀區西小口路66號中關村東升科技園A區3號樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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