中國電子產品可靠性與環境試驗研究所((工業和信息化部電子第五研究所)(中國賽寶實驗室))施宜軍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國電子產品可靠性與環境試驗研究所((工業和信息化部電子第五研究所)(中國賽寶實驗室))申請的專利二極管結構及其制備方法、半導體器件結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114361256B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111631846.1，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權二極管結構及其制備方法、半導體器件結構及其制備方法是由施宜軍;陳義強;賀致遠;王宏躍;徐新兵;路國光;黃云設計研發完成，并于2021-12-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本二極管結構及其制備方法、半導體器件結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種二極管結構及其制備方法、半導體器件結構及其制備方法。本發明的二極管結構包括：柵極結構；陽極，位于柵極結構的一側，與柵極結構具有間距；陰極，位于柵極結構遠離陽極的一側，與柵極結構具有間距；電容，電容的第一極板與陽極相連接，電容的第二極板與柵極結構相連接。在瞬態ESD期間，高電壓變化率可誘導產生電容耦合電流，電容耦合電流將攜帶一定數量的正躍遷電荷到柵極結構，正躍遷電荷將存儲在柵極結構并拉下柵極結構中的能帶，并迫使電子聚集在柵極結構下，當正躍遷電荷產生的柵極電勢達到一定值時，大電流可以通過柵極結構，使ESD引起的累積靜電電荷被有效地釋放，可以避免ESD對柵極結構的破壞，從而增強結構的ESD魯棒性。
本發明授權二極管結構及其制備方法、半導體器件結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種二極管結構，其特征在于，所述二極管結構包括： 柵極結構； 陽極，位于所述柵極結構的一側，與所述柵極結構具有間距； 陰極，位于所述柵極結構遠離所述陽極的一側，與所述柵極結構具有間距； 電容，所述電容的第一極板與所述陽極相連接，所述電容的第二極板與所述柵極結構相連接； 所述二極管結構還包括： 襯底； 外延層，位于所述襯底的表面； 勢壘層，位于所述外延層遠離所述襯底的表面；所述柵極結構、所述陽極、所述陰極及所述電容均位于所述勢壘層遠離所述外延層的表面； 第一鈍化層，位于所述勢壘層遠離所述外延層的表面，位于所述陽極與所述陰極之間，且位于所述柵極結構外圍； 第二鈍化層，位于所述第一鈍化層遠離所述勢壘層的表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子產品可靠性與環境試驗研究所((工業和信息化部電子第五研究所)(中國賽寶實驗室))，其通訊地址為：511300 廣東省廣州市增城區朱村街朱村大道西78號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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