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龍圖騰網獲悉華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司申請的專利一種多芯片高密度互連封裝結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114203691B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111525572.8，技術領域涉及：H10D80/00；該發明授權一種多芯片高密度互連封裝結構及其制作方法是由侯峰澤;尤祥安;李君;王啟東設計研發完成，并于2021-12-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種多芯片高密度互連封裝結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種多芯片高密度互連封裝結構，包括：第一封裝體，包括：第一芯片；芯片焊盤，其在所述第一芯片的正面；絕緣層，其覆蓋在所述第一芯片的上方；第一再布線層，其位于所述絕緣層中，與所述芯片焊盤電連接；基板介質層，其布置在所述第一封裝體的四周；基板通孔，其貫穿所述基板介質層；第二再布線層，其布置在所述基板介質層的正面和背面以及所述第一封裝體的背面；基板堆積層，其包裹所述第一封裝體和所述基板介質層，所述基板堆積層包括上基板堆積層和下基板堆積層；盲孔，其位于所述上基板堆積層和下基板堆積層中；基板焊盤；凸點；以及一個或多個功能芯片。本發明還涉及一種多芯片高密度互連封裝結構的制作方法。

本發明授權一種多芯片高密度互連封裝結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種多芯片高密度互連封裝結構，包括： 第一封裝體，包括： 第一芯片； 塑封層，其布置在所述第一芯片的四周； 芯片焊盤，其在所述第一芯片的正面； 絕緣層，其覆蓋在所述第一芯片和所述塑封層的上方； 第一再布線層，其位于所述絕緣層中，與所述芯片焊盤電連接；基板介質層，其布置在所述第一封裝體的四周； 基板通孔，其貫穿所述基板介質層； 第二再布線層，其布置在所述基板介質層的正面和背面以及所述第一封裝體的背面；基板堆積層，其包裹所述第一封裝體和所述基板介質層，所述基板堆積層包括上基板堆積層和下基板堆積層； 盲孔，其位于所述上基板堆積層和下基板堆積層中； 基板焊盤，其位于所述上基板堆積層的上表面和所述下基板堆積層的下表面； 凸點，其與所述上基板堆積層中的盲孔以及上基板堆積層上表面的焊盤電連接；以及一個或多個功能芯片，其與所述凸點電連接； 在第一芯片四周形成塑封層，從而形成重構晶圓；在晶圓的正面制作絕緣層，然后在芯片焊盤對應的位置通過光刻去除絕緣層形成通孔以及光刻出第一線路圖形；制作位于絕緣層中且穿過通孔與芯片焊盤電連接的第一再布線層；將晶圓切割成單顆芯片，形成第一封裝體。

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