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龍圖騰網獲悉嘉興斯達半導體股份有限公司申請的專利一種高集成IPM封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112599517B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011535538.4，技術領域涉及：H10D80/00；該發明授權一種高集成IPM封裝結構是由戴志展;李申祥;王宇航設計研發完成，并于2020-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高集成IPM封裝結構在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高集成IPM封裝結構，包括芯片載體及固定在芯片載體上的IPM模塊，且所述芯片載體及IPM模塊的外表面包覆有用于封裝的塑封外殼，所述IPM模塊由三個結構相同的IPM單元組合而成以形成三相的逆變輸出；所述IPM單元包括分別設置在絕緣墊片兩側的上管功率臂單元和下管功率臂單元，上管功率臂單元與下管功率臂單元之間通過銅橋連接，所述上管功率臂單元包括上管IGBT芯片、FWD芯片、高壓驅動芯片及設置在各芯片間起連接作用的銅橋，所述上管IGBT芯片通過銅橋設置在所述絕緣墊片的上表面，高壓驅動芯片設置在銅橋上并通過金線連接該銅橋以及上管IGBT芯片的柵極以與銅橋的連通并控制上管IGBT芯片的開斷。

本發明授權一種高集成IPM封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種高集成IPM封裝結構，包括芯片載體及固定在芯片載體頂部的IPM模塊，且所述芯片載體及IPM模塊的外表面包覆有用于封裝的塑封外殼，其特征在于：所述芯片載體為絕緣墊片，所述IPM模塊由三個結構相同的IPM單元組合而成以形成三相的逆變輸出；所述IPM單元包括分別設置在絕緣墊片兩端的上管功率臂單元和下管功率臂單元，上管功率臂單元與下管功率臂單元之間通過第一銅橋連接，所述上管功率臂單元包括上管IGBT芯片、上管FWD芯片、高壓驅動芯片，所述上管IGBT芯片通過第二銅橋設置在所述絕緣墊片的上表面，所述FWD芯片通過第一銅橋堆疊設置在上管IGBT芯片遠離絕緣墊片的一側，所述高壓驅動芯片設置在第四銅橋上并通過金線連接該第四銅橋以及上管IGBT芯片的柵極以與第四銅橋的連通并控制上管IGBT芯片的開斷，所述第四銅橋延伸出塑封外殼外；所述上管FWD芯片通過其上側的第三銅橋連接至第二銅橋，上管功率臂單元一側的所述第二銅橋延伸至塑封外殼外以作為輸入端；所述下管功率臂單元包括下管IGBT芯片、下管FWD芯片、低壓驅動芯片，所述下管IGBT芯片通過所述第一銅橋設置在所述絕緣墊片的上表面，所述下管FWD芯片通過第七銅橋堆疊設置在下管IGBT芯片遠離絕緣墊片的一側，所述低壓驅動芯片設置在第八銅橋上并通過金線連接該第八銅橋以及下管IGBT芯片的柵極以與第八銅橋的連通并控制下管IGBT芯片的開斷，所述第八銅橋延伸出塑封外殼外；下管FWD通過其上側的第六銅橋連接至第一銅橋，所述下管功率臂單元一側的第一銅橋延伸至塑封外殼外以作為輸出端。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人嘉興斯達半導體股份有限公司，其通訊地址為：314006 浙江省嘉興市南湖區科興路988號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。