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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司申請的專利薄膜體聲波諧振器的制造方法及濾波器獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114257192B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010995761.0，技術領域涉及：H03H3/02；該發(fā)明授權薄膜體聲波諧振器的制造方法及濾波器是由黃河設計研發(fā)完成，并于2020-09-21向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本薄膜體聲波諧振器的制造方法及濾波器在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種薄膜體聲波諧振器的制造方法及濾波器，包括：形成第一電極、壓電層和第二電極；在第一電極、第二電極至少其中之一上形成貫穿相應電極的環(huán)形溝槽；在具有環(huán)形溝槽的電極上形成具有拱形橋的電極引出結構；在第一電極上形成支撐層；圖形化支撐層，形成貫穿支撐層的第一空腔，電極引出結構的拱形橋位于第一空腔范圍內(nèi)；提供第一襯底，遮蓋第一空腔；去除環(huán)形犧牲凸起形成環(huán)形空隙，環(huán)形空隙和環(huán)形溝槽相對。本發(fā)明通過電極引出結構的環(huán)形空隙所在的區(qū)域界定有效諧振區(qū)的邊界，并通過環(huán)形溝槽使有效諧振區(qū)邊界處相應電極的端部與空隙的氣體接觸，從而達到消除有效諧振區(qū)的電極的邊界雜波的效果，進而提升諧振器的Q值。

本發(fā)明授權薄膜體聲波諧振器的制造方法及濾波器在權利要求書中公布了：1.一種薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，包括： 形成第一電極、壓電層和第二電極，所述壓電層位于所述第一電極和所述第二電極之間； 在所述第一電極、所述第二電極至少其中之一上形成貫穿相應電極的環(huán)形溝槽； 在具有所述環(huán)形溝槽的電極上形成具有拱形橋的電極引出結構，包括：形成環(huán)形犧牲凸起；形成覆蓋所述環(huán)形犧牲凸起、邊緣搭接在有效諧振區(qū)電極邊緣上的電極引出結構； 在所述第一電極上形成支撐層； 圖形化所述支撐層，形成貫穿所述支撐層的第一空腔，所述電極引出結構的拱形橋位于所述第一空腔范圍內(nèi)； 提供第一襯底，所述第一襯底遮蓋所述第一空腔； 去除所述環(huán)形犧牲凸起形成環(huán)形空隙，所述環(huán)形空隙和所述環(huán)形溝槽相對。

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