硅存儲技術(shù)股份有限公司林光明獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉硅存儲技術(shù)股份有限公司申請的專利由閃存單元構(gòu)成的EEPROM仿真器中的損耗均衡獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN113299333B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202010106388.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G11C16/34;該發(fā)明授權(quán)由閃存單元構(gòu)成的EEPROM仿真器中的損耗均衡是由林光明;錢曉州;皮小燕;V·蒂瓦里;P·丁設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-02-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本由閃存單元構(gòu)成的EEPROM仿真器中的損耗均衡在說明書摘要公布了:本發(fā)明題為“由閃存單元構(gòu)成的EEPROM仿真器中的損耗均衡”。本發(fā)明涉及用于在模擬EEPROM的閃存裝置中實(shí)現(xiàn)損耗均衡的系統(tǒng)和方法。實(shí)施方案利用索引陣列,該索引陣列存儲仿真EEPROM中的每個(gè)邏輯地址的索引字。每個(gè)索引字中的每一位都與仿真EEPROM中的物理字的物理地址相關(guān)聯(lián),并且索引字跟蹤哪個(gè)物理字是特定邏輯地址的當(dāng)前字。使用索引字可實(shí)現(xiàn)損耗均衡算法,該算法允許對邏輯地址的編程命令,這導(dǎo)致:i如果存儲在當(dāng)前字中的數(shù)據(jù)不包含與要存儲的數(shù)據(jù)中的“0”相對應(yīng)的“1”,則跳過編程操作,ii在某些情況下對當(dāng)前字的一個(gè)或多個(gè)位進(jìn)行重編程,或者iii在某些情況下轉(zhuǎn)移到下一個(gè)物理字并對其進(jìn)行編程。
本發(fā)明授權(quán)由閃存單元構(gòu)成的EEPROM仿真器中的損耗均衡在權(quán)利要求書中公布了:1.一種具有損耗均衡的EEPROM仿真系統(tǒng),包括: EEPROM仿真陣列,其包括非易失性存儲器單元陣列;和 損耗均衡模塊,其耦合到所述非易失性存儲器單元陣列,并被配置為: 接收編程命令、寫入數(shù)據(jù)和邏輯地址; 基于所述邏輯地址和索引位讀取當(dāng)前字,其中所述當(dāng)前字位于所述非易失性存儲器單元陣列中的非易失性存儲器單元的物理字的扇區(qū)中,字的所述扇區(qū)對應(yīng)于所述邏輯地址,并且包括第一物理字、最后物理字以及所述第一物理字和所述最后物理字之間的一個(gè)或多個(gè)物理字; 當(dāng)所述寫入數(shù)據(jù)對于所述當(dāng)前字中為“1”的位不包含“0”時(shí),跳過編程操作; 當(dāng)所述寫入數(shù)據(jù)對于所述當(dāng)前字中為“1”的位包含“0”,并且所述當(dāng)前字是所述扇區(qū)中的所述最后物理字時(shí),將所述寫入數(shù)據(jù)編程到所述當(dāng)前字中;以及 當(dāng)所述寫入數(shù)據(jù)對于所述當(dāng)前字中為“1”的位包含“0”,并且所述當(dāng)前字不是所述扇區(qū)中的所述最后物理字時(shí),將所述寫入數(shù)據(jù)編程到下一個(gè)字中。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人硅存儲技術(shù)股份有限公司,其通訊地址為:美國加利福尼亞州;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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