力特半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司牟宗文獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉力特半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司申請(qǐng)的專利集成多設(shè)備芯片和封裝獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN112424943B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:201980001455.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D18/00;該發(fā)明授權(quán)集成多設(shè)備芯片和封裝是由牟宗文;石磊;周繼峰設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2019-06-03向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本集成多設(shè)備芯片和封裝在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本發(fā)明題為“集成多設(shè)備芯片和封裝”。公開(kāi)了一種保護(hù)設(shè)備,該保護(hù)設(shè)備可包括半導(dǎo)體襯底和形成在該半導(dǎo)體襯底內(nèi)的晶閘管型設(shè)備,其中晶閘管設(shè)備從半導(dǎo)體襯底的第一主表面延伸到半導(dǎo)體襯底的第二主表面。該保護(hù)設(shè)備可包括形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第一PN二極管;以及形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第二PN二極管,其中晶閘管型設(shè)備以電串聯(lián)的方式布置在第一PN二極管與第二PN二極管之間。
本發(fā)明授權(quán)集成多設(shè)備芯片和封裝在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種保護(hù)設(shè)備,包括: 半導(dǎo)體襯底; 晶閘管型設(shè)備,所述晶閘管型設(shè)備形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi),所述晶閘管型設(shè)備從所述半導(dǎo)體襯底的第一主表面延伸到所述半導(dǎo)體襯底的第二主表面; 第一PN二極管,所述第一PN二極管形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi),其中,第一PN二極管形成晶閘管型設(shè)備的一部分; 第二PN二極管,所述第二PN二極管形成在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi),其中所述晶閘管型設(shè)備的端子以電串聯(lián)的方式布置在所述第一PN二極管與所述第二PN二極管之間;和 電隔離屏障,所述電隔離屏障從所述第一主表面延伸到所述第二主表面,并且設(shè)置在所述第二PN二極管與所述晶閘管型設(shè)備之間。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人力特半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司,其通訊地址為:214000 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)碩放振發(fā)六路3號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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