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龍圖騰網(wǎng)獲悉住友電氣工業(yè)株式會(huì)社申請(qǐng)的專(zhuān)利高電子遷移率晶體管的制造方法和高電子遷移率晶體管獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112614783B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202011038645.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)高電子遷移率晶體管的制造方法和高電子遷移率晶體管是由山村拓嗣;西口賢彌;住吉和英設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本高電子遷移率晶體管的制造方法和高電子遷移率晶體管在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及高電子遷移率晶體管的制造方法和高電子遷移率晶體管。所述制造高電子遷移率晶體管的方法包括以下步驟：以700℃或以上且900℃或以下的第一爐溫度，通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積法，在由氮化物半導(dǎo)體組成并且包括阻擋層的半導(dǎo)體疊層的表面上形成第一SiN膜；以700℃或以上且900℃或以下的第二爐溫度且爐壓力為1Pa或以下，通過(guò)爐中的水分和氧氣，在第一SiN膜上形成界面氧化層；以700℃或以上且900℃或以下的第三爐溫度，通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積法，在界面氧化層上形成第二SiN膜。

本發(fā)明授權(quán)高電子遷移率晶體管的制造方法和高電子遷移率晶體管在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種制造高電子遷移率晶體管的方法，包括步驟： 以700℃或以上且900℃或以下的第一爐溫度，通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積法，在由氮化物半導(dǎo)體組成并且包括阻擋層的半導(dǎo)體疊層的表面上形成第一SiN膜； 以700℃或以上且900℃或以下的第二爐溫度且為1Pa或以下的爐壓力，通過(guò)所述爐中的水分和氧氣，在所述第一SiN膜上形成具有1nm或更小的厚度的界面氧化層；以及 以700℃或以上且900℃或以下的第三爐溫度，通過(guò)所述低壓化學(xué)氣相沉積法，在所述界面氧化層上形成第二SiN膜。

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